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意法半導體推出的250W MasterGaN參考設計

可加速實現緊湊、高效的工業電源;具有同步整流功能的穩健的GaN諧振功率轉換器提高能效94%以上
2024-12-20
來源:意法半導體
關鍵詞: 意法半導體 GaN

2024年12月20日,中國——為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設計,意法半導體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統級封裝(SiP)的諧振轉換器參考設計。

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意法半導體的MasterGaN-SiP在一個封裝內整合了GaN功率晶體管與開關速度和控制準確度優化的柵極驅動器。使用高集成度的系統級封裝SiP代替采用多個分立元件的等效解決方案,有助于最大限度地提高電源的性能和可靠性,同時加快設計速度,節省PCB電路板空間。

新的電源參考設計的目標應用是空間有限、能效至關重要的工業級電源。該電源整合了MasterGaN1L(內置兩個650V 150m? GaN FET晶體管)與意法半導體的L6599A諧振控制器,峰值能效高于94%,原邊無需安裝散熱器。該電源還集成了意法半導體的SRK2001A同步整流控制器,整體面積緊湊,為 80mm x 50mm,功率密度高達每立方英寸34瓦(W/inch3)。

該電源的最大輸出電流為10A,在24V直流電壓時,輸出功率為250W,待機電流低于1μA,卓越的節能效果。L6599A和SRK2001A內置的保護功能可以防護過流、短路和過壓的沖擊,而輸入電壓監測可確保電源正常啟動并提供欠壓鎖定。

EVL250WMG1L現已上市,集成了全部功能,可立即測評電源功能。相關文檔全文發布在www.st.com/evl250wmg1l上,可幫助系統設計人員加快GaN電源項目開發進度。

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