10月3日消息，據俄羅斯媒體CNews報道，俄羅斯政府已撥款超過 2400 億盧布（25.4 億美元）支持國產半導體制造所需設備、工具及原材料研發，目標是到 2030 年實現對外國半導體制造設備及材料的70%的替代。

報道稱，該計劃涉及啟動了 110 個研發 （R?&D） 項目，以減少對進口半導體制造設備的依賴，并最終實現 28nm 級制程工藝芯片的國產化。但是相對于龐大且復雜的半導體制造設備及材料產業鏈來說，25.4 億美元資金投入顯然是不夠的。

目前俄羅斯芯片制造商 Angstrem、Mikron 等所能夠生產的最先進的制程工藝依然停留在65nm或90nm等成熟節點，并且大量依賴于國外的半導體制造設備，尤其是光刻設備。據統計，在俄羅斯用于芯片的 400 種設備中，目前只有 12% 可以在當地生產。

自2022年2月俄烏沖突爆發后，美國、歐盟、日本、新加坡、韓國、中國臺灣等地就相繼出臺了針對俄羅斯的半導體的出口管制，這些措施不僅使俄羅斯進口相關芯片變得困難，同時相關半導體制造設備的進口更是難上加難。報道稱，這些限制措施使得俄羅斯關鍵半導體設備獲取成本提升了 40% – 50%，因為必須通過走私途徑才能進入到俄羅斯。

因此，為了降低成本并減少對于國外半導體制造設備的的依賴，俄羅斯工業部 （Minpromtorg） 和貿易部以及 MIET（一家政府控制的公司）制定了一項計劃，重點是為微電子生產所需的大約 70% 的設備和原材料開發國內替代品。

據了解，該計劃涵蓋了芯片制造的各個方面，包括實際制造所需的設備、原材料和電子設計自動化 （EDA） 工具等。該項目將開發“20 條不同的技術路線”，例如從 180nm 到 28nm 的微電子學、微波電子學、光子學和電力電子學。一些開發的技術也將用于光掩模生產和電子模塊組裝。

雖然該計劃的戰略目標看起來很明確（到 2030 年以 25.4 億美元的價格實現 70% 的芯片制造設備和原材料的國產化），但具體的細節卻相當模糊。

預計到 2026年底，將會是一個重要里程碑之一，即完成用于 350nm 和 130nm 工藝技術的光刻設備和用于 150nm 生產節點的電子束光刻設備的開發。此外，俄羅斯還計劃在幾年內通過化學氣相沉積設備發展其外延工藝。同時，俄羅斯工業部希望到 2026 年底，俄羅斯國內半導體行業能夠自主生產硅錠并將其切割成硅晶圓。

更遠期的目標是，到2030年，俄羅斯能夠自主生產65nm或90nm制程晶圓的國產光刻系統，這將顯著提高該國生產微電子產品的能力，但仍將落后于目前全球行業領先水平25至28 年。

值得一提的是，在今年5月，在CIPR 2024會議期間，俄羅斯聯邦工業和貿易部副部長瓦西里·什帕克（Vasily Shpak）告訴塔斯社記者稱，俄羅斯首臺國產光刻機已經制造完成，并正在澤列諾格勒進行測試，該設備可確保生產350nm的芯片。