8 月 29 日消息，SK 海力士今日宣布，全球首次成功開(kāi)發(fā)出采用第六代 10 納米級(jí)（1c）工藝的 16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了 10 納米出頭的超微細(xì)化存儲(chǔ)工藝技術(shù)。

SK 海力士強(qiáng)調(diào)：“隨著 10 納米級(jí) DRAM 技術(shù)的世代相傳，微細(xì)工藝的難度也隨之加大，但公司以通過(guò)業(yè)界最高性能得到認(rèn)可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎(chǔ)，提高了設(shè)計(jì)完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成 1c DDR5 DRAM 的量產(chǎn)準(zhǔn)備，從明年開(kāi)始供應(yīng)產(chǎn)品，引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)展。”

SK 海力士以 1b DRAM 平臺(tái)擴(kuò)展的方式開(kāi)發(fā)了 1c 工藝。SK 海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)認(rèn)為，由此不僅可以減少工藝高度化過(guò)程中可能發(fā)生的嘗試錯(cuò)誤，還可以最有效地將業(yè)界內(nèi)以最高性能 DRAM 受到認(rèn)可的 SK 海力士 1b 工藝優(yōu)勢(shì)轉(zhuǎn)移到 1c 工藝。

而且，SK 海力士在部分 EUV 工藝中開(kāi)發(fā)并適用了新材料，也在整個(gè)工藝中針對(duì) EUV 適用工藝進(jìn)行了優(yōu)化，由此確保了成本競(jìng)爭(zhēng)力。與此同時(shí)，在 1c 工藝上也進(jìn)行了設(shè)計(jì)技術(shù)革新，與前一代 1b 工藝相比，其生產(chǎn)率提高了 30% 以上。

據(jù)IT之家了解，此次 1c DDR5 DRAM 將主要用于高性能數(shù)據(jù)中心，其運(yùn)行速度為 8Gbps（每秒 8 千兆比特），與前一代相比速度提高了 11%。另外，能效也提高了 9% 以上。隨著 AI 時(shí)代的到來(lái)，數(shù)據(jù)中心的耗電量在繼續(xù)增加，如果運(yùn)營(yíng)云服務(wù)的全球客戶將 SK 海力士 1c DRAM 采用到數(shù)據(jù)中心，公司預(yù)測(cè)其電費(fèi)最高能減少 30%。