據韓媒 ZDNet Korea 報道，SK 海力士 EUV 材料技術人員當?shù)貢r間本月 12 日出席技術會議時向媒體表示，該企業(yè)計劃于 2026 年首次導入 ASML 的 High NA EUV 光刻機。
SK 海力士的一位工程師表示該公司新近成立了一個 High NA EUV 研發(fā)團隊，正致力于將 High NA EUV 光刻技術應用到最先進 DRAM 內存的生產上。
▲ ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻機
綜合已有報道，在幾大先進邏輯制程與存儲半導體企業(yè)中，英特爾率先拿下了全球第一臺商用 High NA EUV 光刻機，其第二臺 High NA 機臺也已在運至俄勒岡州研發(fā)晶圓廠的途中。
而臺積電和三星電子兩家企業(yè)用于研發(fā)目的的首臺 High NA EUV 光刻機也分別有望于 2024 年內、2024 年四季度至 2025 年一季度交付。
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