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貿澤開售適合能量轉換應用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

2024-07-24
來源:貿澤電子

  2024年7月24日 –專注于引入新品的全球電子元器件和工業自動化產品授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術,開啟了電力系統和能量轉換的新篇章,適用于光伏逆變器、能量儲存系統、電動汽車充電、電源和電機驅動應用。

  貿澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2 MOSFET可在所有常見電源方案組合(AC-DC、DC-DC和DC-AC)中樹立高質量標桿,并進一步利用英飛凌獨特的XT互聯技術來提高半導體芯片的性能和散熱能力(例如采用TO-263-7、TO-247-4分立封裝的型號)。CoolSiC? G2 MOSFET 650V和1200V在不影響質量和可靠性的前提下,將MOSFET的關鍵性能(例如存儲能量和電荷)提高了20%,不僅提升了整體能效,還進一步推動了低碳化進程。G2的散熱能力提高了12%,并將CoolSiC?的SiC性能提升到了一個新的水平。其快速開關能力可在所有工作模式下將功率損耗降低5%到30%(取決于負載條件),具有出色的節能效果。

  CoolSiC? G2的新一代SiC技術能夠加速設計成本更加優化,且更加緊湊、可靠、高效的系統,從而節省能源并減少現場每瓦功率的二氧化碳排放量。




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