7月20日消息，美國國防高等研究計劃署（DARPA）近日宣布，將與德克薩斯州電子研究所共同投入14億美元，開發(fā)以3D異質(zhì)整合技術(shù)為基礎(chǔ)的美軍新一代Chiplet芯片。
資料顯示德克薩斯州電子研究所（Texas Institute for Electronic，TIE）成立于2022年，由德州大學(xué)奧斯汀分校和德州州政府、國防電子廠商和州內(nèi)其他13所學(xué)術(shù)機構(gòu)共同成立的公司，專注研究異質(zhì)整合技術(shù)（Heterogeneous Integration Technology）。
DARPA與TIE將以3D異質(zhì)整合技術(shù)為基礎(chǔ)，為美軍開發(fā)新一代Chiplet芯片，合約時長為五年，分為兩大階段，第一階段將成立隸屬于五角大廈的Chiplet專屬研究室和工廠，并將和AMD、美光、英特爾、應(yīng)用材料、格羅方德等美國企業(yè)共同合作。整項計劃預(yù)算將達(dá)到14億美元，其中DARPA將負(fù)擔(dān)8.4億美元，德州將負(fù)擔(dān)5.52億美元。
由于3D異質(zhì)整合并非全新技術(shù)，因此DARPA和TIE的這項合作，主要是為了確保美軍將有自己的獨家Chiplet供應(yīng)來源，讓未來的武器和通信平臺開發(fā)有先進(jìn)芯片可以使用。
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