7 月 3 日消息，國內存儲芯片企業至訊創新昨日宣布成功量產 512Mb 高可靠性工業級 2D NAND 閃存芯片。
512Mb 的容量使得這款 2D NAND 閃存芯片可同時容納系統代碼和用戶數據，為此后的系統代碼升級留有足夠空間。
至訊創新表示，這款全新的閃存芯片在完全達到工業級性能和可靠性要求的同時，對芯片尺寸做了全面優化，實現了業內同等容量下最小的芯片尺寸，“性價比優勢凸顯”。
▲ 至訊創新工業級 SLC NAND 閃存渲染圖
該閃存芯片支持多比特片上 ECC 糾錯，擁有至高 10 萬次的擦寫周期，可在-40~+85℃的溫度下工作，滿足嚴苛工業級測試，至訊創新也正在對該芯片對應的車規級版本進行驗證。
整理至訊創新近年存儲產品發布信息如下：
2022 年 12 月 13 日：國內首款全自研 19nm 中小容量 2D NAND 閃存開發成功；
2024 年 1 月 15 日：19nm 2D NAND 閃存全面量產。
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