7 月 3 日消息，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片企業(yè)至訊創(chuàng)新昨日宣布成功量產(chǎn) 512Mb 高可靠性工業(yè)級(jí) 2D NAND 閃存芯片。
512Mb 的容量使得這款 2D NAND 閃存芯片可同時(shí)容納系統(tǒng)代碼和用戶(hù)數(shù)據(jù)，為此后的系統(tǒng)代碼升級(jí)留有足夠空間。
至訊創(chuàng)新表示，這款全新的閃存芯片在完全達(dá)到工業(yè)級(jí)性能和可靠性要求的同時(shí)，對(duì)芯片尺寸做了全面優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)同等容量下最小的芯片尺寸，“性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)凸顯”。
▲ 至訊創(chuàng)新工業(yè)級(jí) SLC NAND 閃存渲染圖
該閃存芯片支持多比特片上 ECC 糾錯(cuò)，擁有至高 10 萬(wàn)次的擦寫(xiě)周期，可在-40~+85℃的溫度下工作，滿(mǎn)足嚴(yán)苛工業(yè)級(jí)測(cè)試，至訊創(chuàng)新也正在對(duì)該芯片對(duì)應(yīng)的車(chē)規(guī)級(jí)版本進(jìn)行驗(yàn)證。
整理至訊創(chuàng)新近年存儲(chǔ)產(chǎn)品發(fā)布信息如下：
2022 年 12 月 13 日：國(guó)內(nèi)首款全自研 19nm 中小容量 2D NAND 閃存開(kāi)發(fā)成功；
2024 年 1 月 15 日：19nm 2D NAND 閃存全面量產(chǎn)。
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