4 月 25 日消息，據(jù)韓媒 NEWSIS 報道，SK 海力士在今日的 2024 年一季度財報電話會議上表示將在年內(nèi)推出 1bnm 32Gb DDR5 內(nèi)存顆粒。
32Gb 顆粒意味著消費級的 UDIMM 和 SODIMM 可實現(xiàn) 64GB 單條容量；企業(yè)級的 RDIMM 更是可以在不使用硅通孔工藝 3D 堆疊的情況下，達到單模組 128GB，滿足服務(wù)器對大內(nèi)存的需求。
SK 海力士于 2023 年 5 月宣布完成其 1bnm 內(nèi)存的開發(fā)。該制程采用了 HKMG 技術(shù)，可降低漏電，改善電容性能，進而降低功耗。
參考以往報道，目前三星電子和美光均已官宣 32Gb DDR5 內(nèi)存顆粒。其中三星的 32Gb DDR5 DRAM 按計劃已于去年底開始量產(chǎn)，美光的對應(yīng)產(chǎn)品也將在今年推出。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。