美光宣布，已開始批量生產(chǎn)HBM3E，將用于英偉達(dá)H200，該GPU計(jì)劃在2024年第二季度開始發(fā)貨。美光表示，這一里程碑讓其處于業(yè)界的最前沿，以行業(yè)領(lǐng)先的HBM3E性能和能效為人工智能（AI）解決方案提供支持。

早在去年7月，美光就宣布推出業(yè)界首款帶寬超過(guò)1.2TB/s、引腳速度超過(guò)9.2GB/s、8層垂直堆疊的24GB容量HBM3E，采用了其1β（1-beta）工藝制造，性能相比目前出貨的HBM3解決方案提高了50%。據(jù)介紹，美光HBM3E產(chǎn)品的每瓦性能是前幾代產(chǎn)品的2.5倍，為人工智能數(shù)據(jù)中心的性能、容量和功率效率等關(guān)鍵指標(biāo)創(chuàng)造了新的記錄，可以減少GPT-4等大型語(yǔ)言模型的訓(xùn)練時(shí)間，并提供了卓越的總擁有成本（TCO）。美光稱，其HBM3E的功耗比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士和三星的同類產(chǎn)品低了30%。

美光還準(zhǔn)備了12層垂直堆疊的36GB容量HBM3E，在給定的堆棧高度下，提供的容量增加了50%，隨著技術(shù)的進(jìn)步，美光將硅通孔（TSV）增加了一倍，金屬密度增加了五倍，從而降低了熱阻抗，加上節(jié)能的數(shù)據(jù)路徑設(shè)計(jì)，因此讓能效得以提高。

下個(gè)月英偉達(dá)的GTC 2024上，美光將會(huì)帶來(lái)36GB容量HBM3E，并分析更多的產(chǎn)品信息。