中文引用格式： 劉鴻睿，趙宏亮，尹飛飛. C波段高效率內匹配功率放大器設計[J]. 電子技術應用，2023，49(9)：58-62.
英文引用格式： Liu Hongrui，Zhao Hongliang，Yin Feifei. Design of high efficiency internal matching power amplifier of C band[J]. Application of Electronic Technique，2023，49(9)：58-62.
0 引言
在射頻功率放大器中，高功率密度、高效率是人們一直追求的目標。目前主流的射頻功率放大器設計方案分為單片微波集成電路（Monolithic Microwave Integrated Circuit, MMIC）、射頻功率模塊和內匹配三種形式。內匹配功率放大器是一種混合集成電路（Hybrid Integrated Circuit, HIC），它可以將多種不同襯底材料、不同工藝的裸芯片通過粘接、焊接、共晶等工藝裝配在同一個載片上。與其他兩種形式相比，內匹配具有大功率、低成本、小型化的優(yōu)點[1]。由于內匹配將管芯、無源電路、偏置電路分別設計在不同的襯底上，它可以實現不同工藝的優(yōu)勢互補。但也正是這個因素，給內匹配功放的設計帶來很多不確定性。因此，高性能內匹配功率放大器是近年來研究的重點[2-3]。根據電氣與電子工程師協(xié)會（Institute of Electrical and Electronics Engineers, IEEE）對電磁波頻譜的劃分，C波段指的是頻率在4~8 GHz范圍的電磁波，該頻段包含了衛(wèi)星下行頻段、5G移動通信頻段、雷達頻段等，用途較為廣泛，具有廣闊的市場前景。本文基于氮化鎵高電子遷移率晶體管（High Electron Mobility Transistor, HEMT）技術，設計了一款高效率C波段50 W內匹配功率放大器，其在飽和輸出功率48 dBm下可以實現55%的功率附加效率（Power Added Efficiency, PAE），同時可裝配在8 mm×8 mm載片上，實現了小型化，可廣泛應用于衛(wèi)星、雷達、移動通信等領域中[4-6]。
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作者信息：
劉鴻睿，趙宏亮，尹飛飛 （遼寧大學 物理學院，遼寧 沈陽 110036）
