2023 年 5 月 15 日

　　英國劍橋 - Cambridge GaN Devices （CGD） 是一家無晶圓廠環?？萍及雽w公司，開發了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環保的電子器件。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN? 650 V 氮化鎵 HEMT H2 系列產品，該器件具備業界領先的穩健性、易用性，可實現歷史最高效率。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 智能柵極接口，該接口幾乎消除了典型 e-mode GaN 的弱點，過壓穩健性顯著提高，可提供更高的噪聲抗擾閾值，實現 dV/dt 抑制和 ESD 保護。與上一代器件相同，新型 650 V H2 ICeGaN 晶體管的驅動方式與 Si MOSFET 類似，無需復雜低效的電路，而是采用商用工業柵極驅動器。最后，與硅器件相比，H2 ICeGaN HEMT 的 Q_G 低 10 倍，Q_OSS 低 5 倍，這使得 H2 ICeGaN HEMT 在高開關頻率下能大幅降低開關損耗，并縮小尺寸，減輕重量。基于這些優勢，該產品在同類產品中具備領先的效率性能，并且與 SMPS 應用中業界出色的 Si MOSFET 相比，其性能提升了 2%。

　　Giorgia longobardi | CGD 首席執行官兼聯合創始人 “CGD 借助 H2 系列 ICeGaN 確立了其創新領導地位。弗吉尼亞理工學院（Virginia Tech）的獨立研究已證實，ICeGaN 是業界堅固耐用的 GaN 器件，并且可以像標準硅 MOSFET 一樣驅動，簡單易用，有助于市場迅速接納此類新產品。GaN的效率優勢廣為人知， ICeGaN 在滿載范圍內的性能表現令人印象深刻。”

　　ICeGaN H2 系列采用創新 NL³（空載和輕載）電路，與 GaN 開關一同集成在片上，功耗創歷史新低。采用（片上）集成米勒鉗位的先進箝位結構，無需負柵極電壓，可實現真正的零電壓關斷，并提高動態 R_DS（ON） 性能。這些 e-mode（常關）單芯片 GaN HEMT 包含單片集成接口和保護電路，因此具備卓越的柵極可靠性，并且可以簡化設計。最后，電流檢測功能可降低功耗，并允許直接接地，以優化散熱和 EMI 性能。

　　Giorgia longobardi | CGD 首席執行官兼聯合創始人 “CGD 成功解決了所有通常會減緩新技術推廣進程的挑戰。此外，我們現已成功建立了可靠的供應鏈體系，可以滿足市場對 H2 系列 ICeGaN 晶體管的大規模需求。”

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