IT之家 2 月 10 日消息，GlobalFoundries（GF，格芯）近日宣布，已經(jīng)收購瑞薩電子公司（Renesas）的專利和經(jīng)過生產驗證的導電橋接隨機存取存儲器 (conductive- bridging RAM，CBRAM) 技術，這是一種低功耗的存儲器解決方案，旨在實現(xiàn)家庭和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)以及智能移動設備的一系列應用。

這項交易進一步加強 GF 的存儲器產品組合，并通過增加另一種可靠的、可定制的、相對容易集成到其他技術節(jié)點的嵌入式存儲器解決方案，擴展其嵌入式非易失性存儲器（NVM）解決方案的路線圖。具體而言，這項技術將使客戶能夠進一步區(qū)分其 SoC 設計，并推動新一代安全和智能設備的發(fā)展。

格芯表示，“致力于使我們技術組合差異化，成為客戶今天和未來幾十年的節(jié)能物聯(lián)網(wǎng)應用的基礎。通過收購這項創(chuàng)新的存儲技術，GF 現(xiàn)在在加速開發(fā) NVM 解決方案方面發(fā)揮著至關重要的作用，這將使我們的客戶能夠設計出下一代的智能和互聯(lián)設備。CBRAM 技術釋放了性能和超低能耗的新范式，使從可穿戴設備到智能手機的各種應用，在特定的使用情況下，將電池充電的間隔時間從幾小時延長到幾周甚至幾年。”

IT之家了解到，CBRAM 的低功耗、高讀 / 寫速度、降低制造成本和對惡劣環(huán)境的耐受性，使其特別適用于消費、醫(yī)療和特定工業(yè)應用。2020 年，格芯 GF 與 Dialog 半導體公司（該公司于 2021 年被瑞薩公司收購）達成了一項許可協(xié)議，將其 CBRAM 技術作為一種嵌入式、NVM 選項提供。現(xiàn)在，CBRAM 正在該公司的 22FDX 平臺上得到認證，并計劃將其擴展到其他平臺。

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