為了阻止中國發(fā)展芯片產(chǎn)業(yè)，美國可謂絞盡腦汁，這次更是拉上了日本和荷蘭，意圖通過在芯片設(shè)備方面著手，阻止中國發(fā)展芯片產(chǎn)業(yè)，然而就此此時(shí)中國卻突然傳出三條消息，這將打破美國在芯片行業(yè)的技術(shù)壟斷，讓美國的圖謀破產(chǎn)。

美國拉攏日本和荷蘭的目的是在芯片設(shè)備方面著手，荷蘭的ASML無疑是光刻機(jī)的領(lǐng)軍者，占有光刻機(jī)市場六成市場份額，而且全球市場最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)只有ASML能生產(chǎn)，至今ASML都未向中國交付EUV光刻機(jī)，這確實(shí)給中國發(fā)展先進(jìn)工藝帶來了阻礙。

日本則擁有尼康、佳能等兩家光刻機(jī)企業(yè)，它們?cè)诠饪虣C(jī)市場占有近四成的市場份額；日本其實(shí)在芯片設(shè)備、芯片材料方面也有很強(qiáng)的影響力，幾年前日本暫停向韓國的三星等供應(yīng)光刻膠，就給韓國芯片造成了麻煩，后來韓國組織三星等多家芯片共同研發(fā)光刻膠，迅速擺脫了對(duì)日本芯片材料的依賴。

由此可以看出美國拉攏日本和荷蘭不僅對(duì)中國發(fā)展先進(jìn)工藝產(chǎn)生影響，甚至可能對(duì)當(dāng)下中國正積極擴(kuò)張的28納米等成熟工藝也會(huì)產(chǎn)生影響，凸顯出美國的圖謀，那就是不僅阻止中國發(fā)展先進(jìn)工藝，甚至還試圖對(duì)成熟工藝施加影響。

面對(duì)美國的蠻橫，中國迅速予以反擊，中國基于當(dāng)前的硅基材料已在大力發(fā)展國產(chǎn)產(chǎn)業(yè)鏈，近日就有兩臺(tái)國產(chǎn)光刻機(jī)進(jìn)駐昆山一家芯片企業(yè)，南大光電也已研發(fā)出5納米光刻膠，成熟工藝的諸多環(huán)節(jié)都在打通，而在先進(jìn)芯片方面，中國則在多方面入手。

第一個(gè)是量子芯片，早前央視就探訪了量子芯片生產(chǎn)線，證明中國籌建的量子芯片生產(chǎn)線技術(shù)已取得突破，第一條量子芯片生產(chǎn)線預(yù)計(jì)年內(nèi)就能投產(chǎn)，量子芯片具有超低功耗、計(jì)算速度比硅基芯片快萬倍的優(yōu)勢(shì)。

第二個(gè)是光子芯片，中科院早前就傳出了3納米光子芯片晶體管技術(shù)，而北京一家企業(yè)也在籌建全球第一條光子芯片生產(chǎn)線，證明中國在光子芯片方面也有突破。光子芯片和量子芯片都無需ASML的EUV光刻機(jī)，可以利用現(xiàn)有的設(shè)備，而且中國還在研發(fā)自己的光子芯片和量子芯片設(shè)備，確保芯片設(shè)備完全自研。

第三個(gè)是半導(dǎo)體材料，中國在半導(dǎo)體材料方面已取得長足進(jìn)展，第二代半導(dǎo)體材料已開始進(jìn)入實(shí)際應(yīng)用，早前日媒拆解的中國一家科技企業(yè)的5G小基站就發(fā)現(xiàn)已開始采用砷化鎵，第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO），中國的研發(fā)也不落后，甚至還有所領(lǐng)先，中國還在研發(fā)石墨烯技術(shù)，這些芯片材料的引入都可以大幅提升芯片性能，擺脫美國領(lǐng)導(dǎo)的硅基芯片技術(shù)限制。

可以說中國在多管齊下推進(jìn)先進(jìn)芯片技術(shù)，打破美國對(duì)中國芯片技術(shù)發(fā)展的限制，甚至這些芯片技術(shù)的實(shí)現(xiàn)最終將推動(dòng)中國開辟芯片技術(shù)的新道路，甚至取得全球領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，終結(jié)美國在芯片技術(shù)方面的主導(dǎo)地位。

這突顯出中國近幾年來在芯片技術(shù)方面確實(shí)取得了長足的進(jìn)展，甚至一些先進(jìn)芯片技術(shù)已開始應(yīng)用，中國芯片行業(yè)已有很大的技術(shù)提升，這也與中國近10年來大舉投資研發(fā)分不開，中國的研發(fā)投入已居于全球第二，巨額的研發(fā)投入在各個(gè)行業(yè)都打下了基礎(chǔ)，如今到了即將全面爆發(fā)的階段，美國必然擋不住中國芯片前進(jìn)的腳步。

       原文標(biāo)題 : 美國拉攏日本和荷蘭，但中國突然亮出三張王牌，外媒：進(jìn)展太快了

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