為搶占數(shù)字技術(shù)發(fā)展的制高點，2022年，俄羅斯計劃發(fā)展6G技術(shù)，正在計劃制定微電子技術(shù)發(fā)展國家戰(zhàn)略，也加大了對數(shù)字人才的培養(yǎng)力度。

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俄決定繞過5G直接開發(fā)6G網(wǎng)絡(luò)。無線電制造科學(xué)研究所和莫斯科斯科爾科沃科學(xué)技術(shù)研究院將在2025年前獲得300多億盧布，用于開發(fā)國產(chǎn)6G國內(nèi)通信設(shè)備的聯(lián)合項目，包括從原型到生產(chǎn)的設(shè)備開發(fā)、組件基礎(chǔ)問題以及監(jiān)管框架的開發(fā)和新網(wǎng)絡(luò)的電磁安全研究。預(yù)計6G設(shè)備可以在2025年之前研制成功。

俄工貿(mào)部正在制定2030年前俄羅斯微電子技術(shù)發(fā)展國家政策構(gòu)想。工貿(mào)部建議市場參與者通過開發(fā)具有現(xiàn)代標準的微電子產(chǎn)品，創(chuàng)建電子機械制造業(yè)并在電子儀器設(shè)計中放棄外國架構(gòu)。到2030年將投資約3.19萬億盧布用于國產(chǎn)半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)、國內(nèi)芯片和數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施開發(fā)、人才培訓(xùn)等，到2022年底實現(xiàn)90納米國產(chǎn)芯片制造，2030年實現(xiàn)28納米國產(chǎn)芯片。

莫斯科電子技術(shù)學(xué)院承接了俄貿(mào)工部開發(fā)制造芯片的光刻機項目，首期投資6.7億盧布資金。該計劃使用X射線技術(shù)開發(fā)全新的EUV光刻機，不需要光掩模就能生產(chǎn)芯片。

為防止人才大量流失，俄政府出臺了對IT行業(yè)的支持措施，包括對IT企業(yè)3年內(nèi)免繳所得稅和不高于3%的優(yōu)惠貸款，對IT人才給予優(yōu)惠住房按揭、延期征兵等。（董映璧）

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