·       雙方同意對Soitec技術進行產(chǎn)前驗證， 以面向未來的8寸碳化硅襯底制造

·       提供關鍵半導體賦能技術，支持汽車電動化和工業(yè)系統(tǒng)能效提升等轉型目標

2022年12月8日，中國---- 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)和世界先驅的創(chuàng)新半導體材料設計制造公司Soitec (巴黎泛歐證券交易所上市公司) 宣布了下一階段的碳化硅 (SiC)襯底合作計劃，由意法半導體在今后18 個月內完成對Soitec碳化硅襯底技術的產(chǎn)前認證測試。此次合作的目標是意法半導體采用 Soitec 的 SmartSiC? 技術制造未來的8寸碳化硅襯底，促進公司的碳化硅器件和模塊制造業(yè)務，并在中期實現(xiàn)量產(chǎn)。

意法半導體汽車和分立器件產(chǎn)品部總裁 Marco Monti表示：“汽車和工業(yè)客戶正在加快推進系統(tǒng)和產(chǎn)品的電動化，升級到8寸 SiC 晶圓將為他們帶來巨大好處，因為產(chǎn)品產(chǎn)量提高對于推動規(guī)模經(jīng)濟非常重要。ST選擇了一種垂直整合的制造模式，從高質量的襯底，到大規(guī)模的前工序制造和后工序封測，在整個制造鏈中充分利用我們多年積累的專業(yè)技術專長。我們希望通過與Soitec 技術的合作，不斷提高良率和質量。” 

“隨著電動汽車的到來，汽車行業(yè)正面臨巨變。Soitec通過尖端的 SmartSiC? 技術，將獨特的 SmartCut? 工藝用于碳化硅半導體材料，將在推進電動汽車普及方面發(fā)揮關鍵作用。” Soitec 首席運營官 Bernard Aspar 表示：“將Soitec 的 SmartSiC? 襯底與ST行業(yè)率先的碳化硅技術和專長整合，將改變汽車芯片制造的游戲規(guī)則，并樹立新的標準。”

碳化硅 (SiC) 是一種顛覆性的化合物半導體材料，在電動汽車和工業(yè)制程領域重要的高增長功率應用中，碳化硅材料的固有性質令碳化硅器件的性能和能效優(yōu)于硅基半導體。碳化硅可以實現(xiàn)更高效的電源轉換、更緊湊的輕量化設計，并節(jié)省整體系統(tǒng)設計成本——所有這些都是汽車和工業(yè)系統(tǒng)成功的關鍵參數(shù)和要素。從 6寸 晶圓升級到 8寸 晶圓，可以使制造集成電路的可用面積增加幾乎一倍，每個晶圓上的有效出片量達到升級前的1.8-1.9 倍，因此大幅增加產(chǎn)能。

SmartSiC? 是 Soitec 的專有技術，基于Soitec 專有的 SmartCut? 技術，從高質量碳化硅供體晶圓上切下一個薄層，將其粘合到待處理的低電阻多晶硅晶圓片表面。如此加工后的襯底可有效提高芯片的性能和制造良率。此外，優(yōu)質的碳化硅供體晶圓可以多次重復使用，因此可以大幅降低供體加工的總能耗。

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