隨著微電子技術和電力電子技術的發展進步，促進了新型大功率半導體器件和驅動控制電路的出現，現在逆變器多采用絕緣柵極晶體管（IGBT）、功率場效應管、MOS控制器晶閘管以及智能型功率模塊等各種先進和易與控制的大功率器件。

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　　逆變器是太陽能光伏發電系統中的關鍵部件，主要的作用是將光伏組件發出的直流電轉變成交流電；是太陽能和用戶之間相聯系的必經之路；逆變器結構由輸入電路、主力變電路、輸出電路、輔助電路、控制電路和保護電路等構成；目前，市面上常見的光伏逆變器主要分為集中式逆變器與組串式逆變器，還有新潮的集散式逆變器。

　　IGBT是光伏逆變器、儲能逆變器的核心器件；在逆變器中承擔著功率變換和能量傳輸的作用，是逆變器的心臟。IGBT模塊占光伏逆變器價值量的15%至20%，不同的光伏電站需要的IGBT產品略有不同，比如集中式光伏主要采用IGBT模塊，而分部式光伏主要采用IGBT單管或模塊。

　　IGBT模塊備受各行業青睞，是我國重大科技專項重點扶持項目。它兼具MOSFET(絕緣柵型場效應管)及BJT(雙極型三極管)兩類器件優勢，開關速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小、導通電壓低、通態電流大、損耗小，在高壓、大電流、高速等方面同樣優勢明顯。

　　IGBT模塊可以分為低壓（600V以下），中壓（600V-1200V）和壓(1200V-6700V)它有陰極，陽極，和控制極。關斷的時候其阻抗是非常大的基本是斷路，接通的時候存在很小的電阻，通過接通或斷開控制極來控制陰極和陽極之間的接通和關斷。

　　在光伏逆變器的設計中，常用的IGBT分別為平面型IGBT和溝道型IGBT。在平面型IGBT中，多晶硅柵極是呈“平面”分布或者相對于p+體區是水平分布的。在溝道型IGBT中，多晶硅柵極是以“溝道方式向下”進入p+體區。這種結構有一個優點，就是可以減小通道對電子流的阻力并消除電流擁擠現象，因為此時電子垂直地在通道中流過。在平面型IGBT中，電子以某種角度進入通道，引起電流擁擠，從而增加電子流的阻力。在溝道型IGBT中，電子流的增強使Vce(on)大幅度降低。

　　一般來說，在直流/交流逆變器系統設計中，選擇IGBT器件的基本準則是提高轉換效率、降低系統散熱片的尺寸、提高相同電路板上的電流密度。

　　臺灣茂矽推出了幾款適用于中壓范圍6寸晶圓片適用于各類光伏逆變器，如光伏逆變和儲能等。與行業同類產品相比，溫升更低、可靠性更高。

　　由工采網代理的臺灣茂硅生產的IGBT晶圓FS工藝6寸IGBT晶圓片P81MV022NL0013P、P81MV020NL0011P、P81MV023NL0014P這三款主要有以下特性：

　　1、1200V壕溝和現場停止技術 2、低開關損耗 3、正溫度系數  4、簡易平行）可應用于中等功率驅動器；不間斷電源。

　　IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

　　臺灣茂矽IGBT產品已經逐步進入新能源汽車、充電樁、電池管理以及光伏逆變器等領域，并受到客戶的青睞，ISWEEK工采網擁有一整套完整的解決方案

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