據業內信息，近日在山西太原舉行了太忻一體化經濟區推介會，大約有十幾個合作項目簽約成功，其中第2代半導體砷化鎵面射型智能應用芯片研發生產項目落戶山西，總投資規模超10億元。

砷化鎵(GaAs)是第二代半導體材料，擁有電子遷移率高的特點，不同于第三代半導體擊穿場強、功率密度高的特點，因此適合做光芯片。三代半導體各有各的特點和應用場景，并不是進化關系。

第二代半導體大約在上世紀六十年代進入實用階段，砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數量級以上的半絕緣高阻材料，用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數字電路方面得到重要應用。

用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點，同時還可以用于制作轉移器件比如體效應器件。GaAs是半導體材料中具有多方面優勢的存在，但是其晶體三極管的放大倍數小，導熱性差，不適宜制作大功率器件，而且其制作工藝要求很高。

本次投資規模超十億的砷化鎵面射型智能芯片主要應用于5G通信和消費市場的各類智能人工智能產品。這次會議簽署的項目總投資額約為64億元，包含各類高端裝備制造、電子信息、新材料、現代服務業等領域。

本次簽署還有其他的簽署項目，比如主要用于智能汽車的車燈和消費市場LED照明設備的納米車燈芯片研發生產項目，投資3億年產量20萬套設備;還有總投資超過8億的超薄藍晶體玻璃濾光片生產項目等。

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