8月18日，據相關爆料，臺積電3nm(N3)制程將預計于第三季增加投片量，于第四季度進入量產階段，臺積電3nm采用了鰭式場效晶體管(FinFET)架構，N3制程采用TSMC FINFLEX 技術，將3nm家族技術的PPA進一步提升。

臺積電N3制程將在2022年下半年量產，并于2023年上半年開始貢獻營收。據悉，今年底蘋果將成為第一家采用臺積電3nm的客戶，首款產品可能是M2 Pro芯片，而明年的iPhone15 Pro的A17處理器，以及M2、M3系列芯片，都會導入臺積電 3nm。

如今在國內市場上一說起華為，我們大家都還是比較熟悉的，作為中國第一大的民營科技企業，華為公司的實力自然是十分雄厚的，最近這幾年，隨著移動互聯網的快速發展，華為公司也終于迎來了快速發展的時機，除了在移動通訊領域發展的十分迅猛以外，華為還在智能手機和5G網絡領域也都取得了非常不錯的成績，就在不少人都為華為感到驕傲的時候，華為卻突然遭到了打擊和制裁!

在國際市場上，自從華為被打壓以后，很多國家的運營商在選擇和華為5G合作的時候都一直態度搖擺不定，有的甚至還直接將華為5G給排除在外，這也讓華為損失了不少的5G訂單;除此以外，谷歌也直接停止了對華為安卓手機GMS服務的授權，這讓華為手機在國際市場上的銷量也下滑了不少，不過好在華為并沒有因此而放棄發展，反而在國際市場上還越挫越勇!

隨著打壓力度的不斷升級，華為一直以來的芯片合作伙伴臺積電也不再給華為生產海思麒麟芯片了，這直接導致華為的海思麒麟芯片成為了絕唱，要知道對于華為這樣的科技企業來說，沒有了芯片影響無疑是巨大的，畢竟華為智能手機一年的出貨量就超過了2億部，這也就意味著華為一年就需要2億多枚芯片，而現在芯片短缺已經成為了華為發展的最大問題!

就在很多人都認為芯片封鎖之后，華為在芯片行業將無法再更進一步的時候。沒想到華為下一代的海思麒麟芯片再次被曝光，這一次華為所研發的芯片采用的是3nm工藝制程，根據曝光的名字來看，華為3nm制程工藝的芯片暫時命名為麒麟9010。雖然說華為在芯片代工領域被限制了，但是華為依然還是全球排名前10的芯片設計企業，所以華為在芯片設計領域還擁有著超強的實力，而這一次3nm芯片被曝光，也表明華為一直都沒有停止過在芯片領域的研發!

雖然在5nm的芯片代工被限制之后，但華為依然還在不斷的對先進工藝的芯片進行研發，一旦國內突破了光刻機等卡脖子技術以后，那么華為的芯片就將會成功復活，畢竟現在蘋果、三星、高通以及臺積電都在不斷的研發3nm乃至更加先進工藝的芯片，所以華為也自然不甘于落后，沒想到華為一直都在時刻準備著在芯片領域崛起!

綜合來看，華為雖然在芯片代工領域被限制，但是這也依然無法阻擋華為研發芯片的熱情和進度，而華為3nm芯片研發成功以后，只要中科院和眾多國產科技企業不斷努力，在芯片代工領域取得突破以后，那么華為的芯片就可以隨時被生產出來，可以說現在華為時刻為自己的海思麒麟芯片復活做著相關的準備，只要解決了芯片代工的事情，那么華為芯片就能迎來轉機，相信要不了多久，芯片“卡脖子”的問題就能得到解決。

三星電子官宣，已開始量產基于GAA晶體管(Gate-All-Around FET，全環繞柵極)結構的3nm芯片。

與5nm制程相比，3nm制程降低了45%的功耗，提升了23%的性能，并減小了16%的面積。三星電子正在位于首爾南部華城市的晶圓廠生產3nm。這是全球首次采用GAA晶體管結構的芯片，標志著芯片制造進入了新的時代。三星電子稱，其GAA晶體管芯片將應用于高性能、低功耗計算領域，并計劃擴展到移動處理器。

據外媒報道，一家中國礦機芯片公司將成為三星電子3nm制程的首位客戶，高通也預定了三星電子的3nm制程。

三星電子稱，其3nm制程正在使用MBCFET(Multi-Bridge-Channel，多橋通道晶體管)技術，這是基于GAA晶體管結構的一種技術。該技術通過降低供應電源水平，提升了芯片電流和功率，首次突破了FinFET晶體管(Fin Field-Effect Transistor，鰭式場效應晶體管)的性能限制。

相比于GAA技術的納米線和納米片通道，三星電子采用的MBCFET技術具有更寬的通道，具備更高的性能和更好的能效表現。

三星電子的3nm制程將能夠調整通道寬度，以適應更多客戶的需要。三星電子還強調，其GAA技術的設計優勢來自于DTCO(設計技術協同優化)，這能夠幫助提升芯片的PPA(性能、功率、面積)。

和5nm制程相比，三星電子的第一代3nm制程能夠降低45%的功耗，提升了23%的性能，并減小16%的面積。而第二代3nm制程將有進一步的優化，將降低50%的功耗，提升30%的性能，降低35%的面積。

此外，三星電子還提到，自2021年第三季度開始，其和Ansys、Cadence、Siemens、Synopsys等SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem)合作伙伴一起提供了經過驗證的設計基礎，這幫助三星電子的客戶在短時間內完善了它們的產品。

三星電子總裁兼代工業務負責人Siyoung Choi稱：“我們將繼續在具有競爭力的技術開發中積極創新，并建立有助于加速技術成熟的流程。”

據日經亞洲報道，三星電子正在位于韓國首爾南部的華城市生產3nm芯片。

據外媒報道，三星電子3nm制程的首個客戶是中國挖礦芯片公司，也有消息稱三星電子已收到高通的預定訂單，高通將隨時能夠采用其3nm工藝。

本月初，三星電子副會長李在镕訪問歐洲，拜訪了包括IMEC(比利時微電子研究中心)和荷蘭光刻機公司ASML在內的重要供應鏈機構和公司。

當前，三星電子正在美國德克薩斯州泰勒市投資170億美元，建設新的先進制程晶圓廠。該工廠計劃于2024年下半年投產，占地超過500萬平方米。三星電子將該晶圓廠和其位于韓國平澤市的晶圓廠并列，將兩處的晶圓廠視作其未來全球半導體制造的關鍵。

除了三星電子，臺積電也計劃在今年下半年量產3nm制程(N3工藝)。

不過相比于三星電子的3nm制程，臺積電的N3工藝仍將采用FinFET晶體管結構。此外，臺積電還宣布，將在2025年前量產2nm芯片。

據悉，臺積電3nm的首批客戶將包括英特爾、蘋果兩大科技巨頭。

結語：三星率先開啟GAA晶體管時代，先進制程之戰進入白熱化

隨著先進制程不斷演進，先進制程芯片制造的難度不斷增大，這也為三星電子帶來了不少挑戰。此前，三星電子7nm和5nm制程產品均出現良率和功耗問題，使高通等頭部客戶轉投臺積電。近幾個月來，三星電子的良率情況曝光和代工業務高管人事調整不斷。

但本次三星電子能夠如期完成3nm制程的量產，或有助于恢復下游客戶的信心。其基于GAA晶體管的3nm制程也正式開啟了新的晶體管時代。未來，臺積電、三星、英特爾等先進制程玩家的競爭仍將繼續，這場逼近物理極限的戰爭“硝煙”正濃。

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