美國商務部周五發(fā)布一項臨時最終規(guī)定，對設計GAAFET（全柵場效應晶體管）結構集成電路所必須的ECAD(EDA)軟件；兩種超寬帶隙半導體襯底：金剛石和氧化鎵；燃氣渦輪發(fā)動機使用的壓力增益燃燒(PGC)等四項技術實施新的出口管制。并稱這些技術對其國家安全至關重要。生效日期為 2022 年 8 月 15 日。

GAAFET晶體管技術是相對于FinFET晶體管更先進的技術，F(xiàn)inFET技術最多能做到3nm，而GAAFET可以實現(xiàn)3nm及以下制程。氧化鎵(Ga2O3）、金剛石則是被普遍關注的第四代半導體材料。

此次對GAAFET EDA軟件的管制可以認為是對3nm以下制程所用EDA工具軟件的管制。

這四項技術是 42 個參與國在2021年12月會議上達成共識控制的項目之一。美國的出口管制涵蓋了比國際協(xié)議更廣泛的技術，包括用于生產(chǎn)半導體的額外設備、軟件和技術。

美國商務部表示，此舉涵蓋的“新興和基礎技術”包括氧化鎵和金剛石，因為“使用這些材料的設備顯著增加了軍事潛力”。

另外，美國商務部工業(yè)和安全部副部長Alan Estevez表示：“允許半導體和發(fā)動機等技術更快、更高效、更長時間和更惡劣條件下運行的技術進步可能會改變商業(yè)和軍事領域的游戲規(guī)則。”

以下是四項被禁技術的進一步解釋：

氧化鎵和金剛石是允許半導體使用它們的材料在更惡劣的條件下工作，例如在更高的電壓或更高的條件下工作溫度。使用這些材料的設備顯著增加了軍用潛力。

ECAD 是一類軟件工具（更多的被稱為EDA軟件），用于設計、分析、優(yōu)化和驗證集成電路或印刷電路板的性能。電子計算機輔助設計軟件被用于軍事和航空航天防御的各種應用中用于設計復雜集成電路的行業(yè)。GAAFET技術方法是擴展到 3 納米及以下技術節(jié)點的關鍵。GAAFET技術實現(xiàn)更快、更節(jié)能、更耐輻射的集成電路，推進許多商業(yè)和軍事應用，包括國防和通信衛(wèi)星。由于現(xiàn)代半導體芯片可以包含數(shù)十億個組件，因此 EDA 工具對其設計至關重要；

PGC 技術在陸地和航空航天應用方面具有廣泛的潛力，包括火箭和高超音速系統(tǒng)。BIS 增加了對開發(fā)和未在美國軍需品清單上描述的燃燒器的生產(chǎn)技術。

更多信息可以來這里獲取==>>電子技術應用-AET<<