6月1日消息，據(jù)彭博社報(bào)道，美國(guó)IP 設(shè)計(jì)龍頭企業(yè)IBM陷入一宗排擠對(duì)手的訴訟，法庭日前判決稱(chēng)，IBM公司必須向美國(guó)“BMC軟件公司”賠償16億美元（約合人民幣106．8億元），理由是兩家公司在服務(wù)共同客戶(hù)的過(guò)程中，IBM 不正當(dāng)?shù)赜米约旱能浖鎿Q了 BMC 在 AT＆T 公司的大型機(jī)軟件。
美國(guó)地方法官格雷米勒表示，IBM 通過(guò)欺詐說(shuō)服軟件公司 BMC 簽署了一份合同，允許 IBM “在不支付費(fèi)用的情況下行使權(quán)利，獲得其他合同利益，并最終獲得 BMC 的核心客戶(hù)之一”。
據(jù)了解，IBM和BMC曾簽下一份精心協(xié)商的協(xié)議合作運(yùn)營(yíng)，協(xié)議內(nèi)容禁止IBM鼓勵(lì)兩家公司的共同客戶(hù)轉(zhuǎn)用自家軟件產(chǎn)品線(xiàn)。
在2017年，BMC起訴IBM，稱(chēng)后者違反協(xié)議，在2015年雙方續(xù)簽權(quán)力共享協(xié)議時(shí)挖角AT＆T的軟件業(yè)務(wù)。
BMC要求法院判決IBM支付違反協(xié)議的7．91億美元（約合人民幣52．8億元）違約金，并賠償丟掉AT＆T合同損失的1．04億美元（約合人民幣6．9億元）利潤(rùn)。BMC還要求法院考慮，如果發(fā)現(xiàn)IBM故意干擾BMC的客戶(hù)關(guān)系，就將賠償總金額增加兩倍。
IBM則反駁說(shuō)，AT＆T放棄了BMC的產(chǎn)品并轉(zhuǎn)投IBM是出于它自己的原因；IBM聲稱(chēng)，根據(jù)與BMC的協(xié)議，這是公平的競(jìng)爭(zhēng)。雖然IBM近年已逐漸轉(zhuǎn)向云計(jì)算和人工智能服務(wù)，但大型機(jī)仍然是其信息技術(shù)產(chǎn)品組合的重要一部分。
此外，IBM還表示，其“在此次合作的各個(gè)方面都本著善意行事”，并誓言將提起上訴。IBM在一份聲明中表示：“這一判決完全沒(méi)有事實(shí)和法律依據(jù)，IBM計(jì)劃在上訴中尋求完全逆轉(zhuǎn)這一判決?！薄皩?BMC軟件技術(shù)從其主機(jī)上移除的決定完全是由AT＆T做出的，這一點(diǎn)得到了法庭的認(rèn)可，并在AT＆T代表的證詞中得到了證實(shí)。”
美國(guó)休斯頓地區(qū)法官Gray Miller周一駁回了IBM稱(chēng)其“公平公正地獲得了AT＆T軟件業(yè)務(wù)”的說(shuō)法。該法官根據(jù)他之前的判斷認(rèn)定，IBM在AT＆T拋棄BMC的決定中所扮演的角色“帶有故意不當(dāng)行為的色彩”。并判決IBM必須向美國(guó)“BMC軟件公司”賠償16億美元。
公開(kāi)資料顯示，IBM是唯一橫跨大型機(jī)、PC、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算四個(gè)時(shí)代，并即將步入智能時(shí)代的企業(yè)，其業(yè)務(wù)包括芯片設(shè)計(jì)、云計(jì)算、人工智能和IT基礎(chǔ)設(shè)施等多個(gè)領(lǐng)域。
重心傾注芯片工藝賽道
作為IT界的行業(yè)翹楚，IBM最為令人注目的還屬其芯片制程設(shè)計(jì)能力。
IBM與英特爾一般，是芯片制造行業(yè)最早入局的那批企業(yè)之一。早在1950年，IBM就使用晶體管技術(shù)制造并賣(mài)出了1萬(wàn)多臺(tái)計(jì)算機(jī)。60年代到80年代是IBM最風(fēng)光的時(shí)期，隨著集成電路技術(shù)的成熟，IBM在1981年8月12日，推出了世界上第一臺(tái)個(gè)人電腦——IBM5150。
要知道，用芯片代工模式改變?nèi)蛐酒a(chǎn)業(yè)鏈的foundry企業(yè)臺(tái)積電，是在1987年才成立的。因此，IBM等老牌IT企業(yè)，在造電腦時(shí)，很多情況下是自己把芯片設(shè)計(jì)并制造出來(lái)的，這種芯片生產(chǎn)模式叫做IDM，Integrated Device Manufacture，即一家企業(yè)將芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、芯片封裝和測(cè)試等多個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)自己大包大攬了。1988年，IBM搭建了全球第一條200mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)。隨后在2002年，IBM又建成了全球最先進(jìn)的300mm生產(chǎn)線(xiàn)。
不過(guò)，由于IBM自身的芯片制造技術(shù)跟不上時(shí)代的發(fā)展，制造能力已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于后起之秀臺(tái)積電與三星，為了產(chǎn)品的性能，IBM只能將研發(fā)出來(lái)的IBM Power 10處理器交由三星代工生產(chǎn)，旗下的晶圓廠也因?yàn)槭ビ猛径鍪劢o格羅方德。
雖然IBM已經(jīng)售出晶圓廠，宣告退出芯片制造賽道。但事實(shí)上，藍(lán)色巨人并沒(méi)有放棄先進(jìn)芯片制程工藝芯片的研發(fā)。通過(guò)與AMD、三星以及GlobalFoundries等企業(yè)合作，IBM接連在多個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)，率先推出測(cè)試芯片。
去年11月，IBM宣布其已經(jīng)創(chuàng)造出世界上第一個(gè)2nm節(jié)點(diǎn)芯片，該芯片最小元件比DNA單鏈還小，并且是全球晶體管數(shù)量最多的芯片，相當(dāng)于整個(gè)世界樹(shù)木的10倍，而且其性能相比當(dāng)前的7nm芯片提高了足足45％，如果將能耗比視為首位，其功耗也做到了比7nm芯片減少了75％。
據(jù)悉，該芯片是在IBM研究院在其紐約州奧爾巴尼半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)，根據(jù)IBM公布的芯片數(shù)據(jù)信息顯示，該2nm芯片可容納500億個(gè)2nm晶體管，這意味著在每平方毫米芯片上集成3．33億個(gè)晶體管。
與之相比，目前臺(tái)積電的5nm芯片制程約有1．71億個(gè)晶體管，而三星5nm制程每平方毫米約有1．27億個(gè)晶體管。這使得該芯片在計(jì)算速度方面翻了將近一倍。
IBM此次研發(fā)出來(lái)的芯片納米技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行了更高級(jí)的擴(kuò)展，這種架構(gòu)是業(yè)界首創(chuàng)。IBM通過(guò)增加每個(gè)芯片上的晶體管數(shù)量可以讓芯片變得更小、更快、更可靠、更高效。2 nm芯片制程工藝設(shè)計(jì)的成功，意味著在IBM在宣布 5 納米設(shè)計(jì)研發(fā)成功之后，僅用了不到四年時(shí)間就再次實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。
在IBM這次研發(fā)的2nm芯片里，IBM用上了一個(gè)被稱(chēng)為3D納米片堆疊的晶體管技術(shù)（nanosheet stacked transistor），它將NMOS晶體管堆疊在PMOS晶體管的頂部，而不是正常晶體管那樣并排放置，利用類(lèi)似電子開(kāi)關(guān)形成二進(jìn)制數(shù)字1和0的變化。后者盡管有更快、更省電的作用，其最大的缺點(diǎn)是電子泄漏，而IBM的2nm芯片已經(jīng)克服了這個(gè)問(wèn)題。
與此同時(shí)，該芯片還使用了底部電介質(zhì)隔離（bottom dielectric isolation）技術(shù)、內(nèi)部空間干燥工藝（inner space dry process）技術(shù)、2nm EUV技術(shù)等，將有效改善原有晶體管技術(shù)存在的一些問(wèn)題。
此外，在2021 IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）上，“藍(lán)色巨人”IBM還聯(lián)合三星共同推出“垂直傳輸場(chǎng)效應(yīng)晶體管”（VTFET） 芯片設(shè)計(jì)新工藝。
IBM與三星將晶體管以垂直方式堆疊，并讓電流也垂直流通，使晶體管數(shù)量密度再次提高，更大幅提高電源使用效率，并突破1nm制程的瓶頸。
相較傳統(tǒng)的水平放置晶體管的設(shè)計(jì)，這種新型的垂直傳輸場(chǎng)效應(yīng)晶體管將能增加晶體管數(shù)量堆疊密度，在每個(gè)芯片上實(shí)現(xiàn)更高密度的這些組件，讓運(yùn)算速度提升兩倍，同時(shí)借電流垂直流通，使功耗在相同性能發(fā)揮下降低85％。通過(guò)這種新設(shè)計(jì)，IBM和三星希望將摩爾定律擴(kuò)展到納米片閾值之外并減少能源浪費(fèi)。
IBM 研究院混合云和系統(tǒng)副總裁 Mukesh Khare 博士表示：“今天我們共同發(fā)布這項(xiàng)新技術(shù)是在致力于挑戰(zhàn)突破傳統(tǒng)思路，重新思考我們應(yīng)該如何持續(xù)推動(dòng)社會(huì)進(jìn)步，并提供新的創(chuàng)新，以改善人類(lèi)的生活、工作和減少對(duì)環(huán)境所帶來(lái)的負(fù)面影響?！?/p>
當(dāng)今，主流的芯片架構(gòu)采用的是橫向傳輸場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），例如鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET），因硅體類(lèi)似魚(yú)背鰭而得名。隨著摩爾定律的延續(xù)，集成電路上可以容納的晶體管數(shù)目在大約每經(jīng)過(guò)18個(gè)月便會(huì)增加一倍，同時(shí)計(jì)算機(jī)的運(yùn)行速度和存儲(chǔ)容量也翻一番，如今可以塞進(jìn)單個(gè)芯片的晶體管數(shù)量也幾乎達(dá)到了極限。全新的設(shè)計(jì)方法能通過(guò)放寬晶體管門(mén)長(zhǎng)度、間隔厚度和觸點(diǎn)尺寸的物理限制來(lái)解決縮放（scaling ）障礙，并在性能和能耗方面對(duì)這些功能進(jìn)行優(yōu)化，這或許或成為未來(lái)芯片設(shè)計(jì)的新方向之一。
