芯片工藝已經是頭部大廠的競爭對象，先進制程的每一次變化都牽動全球同業側目。無論是出于何種目的，搶先推出產品已經是彰顯大廠地位的主要方式。但是，近年來隨著半導體技術逐漸逼近物理極限，大廠已經越來越難按時推出自己的芯片，原因眾多莫衷一是，但旁觀者和客戶都抱有一種等不及的心態，已經成為巨大壓力來源。或許，當我們不再追趕著超前的進度而穩重進行，情況或許會好些。
進入20nm節點之后，內存芯片也陷入了無法走下產線的窘迫境況，三星是內存綜合占比最多的公司，但是現在，其在新一代內存研發上也面臨困難。
4月14日，三星已經中斷了12－13nm工藝級別內存研發，這表明三星13nm級別的內存被間接承認失敗。
雖然三星在量產12－13nm的工藝上宣告失敗，但是目前來看三星在DRAM工藝上仍然是最先進的，2020年其率先研發成功1z工藝內存，可以用于15nm制程產線，2021年三星宣告研發成功1a 14nm工藝內存，還首次使用了EUV光刻工藝。
再就到了現在在研究的1b工藝，大概是12－13nm級別，三星去年宣布成立專門的研發團隊攻克1b工藝內存，但是現在的失敗或大傷其元氣。
先進制程研發的難度已經成為世界難題，三星為了突破1nm工藝用了2年，但是現在內存芯片卻以失敗告終，無法按時復產。
而在邏輯芯片上，三星在3nm GAA芯片上花費了大量的宣傳，但供應鏈消息稱，“情況看起來越來越嚴峻，對于商業代工合作伙伴來說，3nm節點現在看起來像是推遲到 2024年。”
三星的流片是與Synopsys合作完成，Synopsys的Fusion Design Platform 加速準備以有效實現 3nm 工藝，性能提高35％，能耗降低50％。未來將用于高性能計算 （HPC）、5G、移動和高級人工智能領域，客戶可能包括蘋果、高通等。如果三星的商業代工合作伙伴在需求上不及預期，或者“搶單失敗”，3nm GAA芯片的量產也是有可能延期。另一方面，半導體行業深陷“漲價潮”中，原材料上漲，芯片生產進度也會受到影響。如果三星無法在2022年順利量產3nm GAA芯片，那么與臺積電的距離又遠了一步。
就在三星失敗傳聞一天之后，臺積電召開年度財報發布會，臺積電CEO魏哲家在財報發布會上證實，公司將在今年下半年開始量產基于3nm 節點工藝N2的處理器，有望在 2025 年實現量產。
在發布會上，魏哲家重申臺積電最新的 N3 工藝將能夠提供比前代產品更高的能效和對更高計算性能的支持。與 N5（5nm）和 N7（7nm）相比，臺積電預估第一年 N3 的新流片會更多。行業人士表示，一旦N3量產，預計臺積電每月將向其客戶生產30000片和35000片N3芯片晶圓。
臺積電的喜訊極大提振了自身，同時給對手重重一擊，它昭示了臺積電在制造上不可超越的地位。從N5向N3不是單一的光刻尺寸的縮小，涉及器件架構、互連金屬等，出現工藝延遲正常，要摸索工藝，需要通過更多的硅片生產來積累經驗。臺積電繼續在3nm節點選擇FinFET工藝，則是考慮到可以繼續挖掘現有工藝的優勢，在三星之前實現量產。有業內人士就指出，臺積電在GAA架構的開發上落后三星12至18個月，因而積極推進的3nm FinFET策略可以彌補這一劣勢。
實際上，今年年初，臺積電也被爆出3nm出現問題，今年下半年才可以流片，會比計劃中晚半年左右，而現在臺積電方面的證實或許澄清了謠言，不過事實與否，到下半年自會見到分曉。
“按期交付”奢侈化
今年2月，英特爾CEO Pat Gelsinger確認，公司代號為Granite Rapids的服務器芯片將從2023年推遲至2024年發布。
英特爾曾公開表示Sapphire Rapids將在2021年發貨，而2021年3月宣布推遲到2021年年底。
隨后英特爾表示，由于需要更多時間進行驗證Sapphire Rapids至強可擴展處理器芯片將延期至2022年第一季度開始投產，到第二季度產能會有所增加。但現在來看，最新的消息是今年第三季度才會推出。
這已經是英特爾第三次延遲Sapphire Rapids的量產時間。
對于英特爾而言，在全球數據中心芯片領域，英特爾曾占有99％的份額，可以說計算機服務器業務是英特爾的最強業務，多次延遲10nm服務器芯片的發布可能會對英特爾的競爭力產生不利影響。
除了消息纏身的英特爾，三星在芯片量產也不斷有新消息，三星3nm GAA芯片已經成功流片，將在2022年實現規模化量產。不過有媒體透露，這個量產時間預計或推遲到2024年。
不光半導體老炮后發無力，新來的和尚也不好念經。Meta在2021年組建了一個團隊，計劃自研芯片，代號“Brasilia”，計劃首先應用于第二代Rayban智能眼鏡中，取代高通芯片。據悉，Meta自研芯片的計劃此前完全沒有意外，按照Meta產品規劃，自研操作系統、自研芯片完全是與其體量相對應的必要路徑。
考慮到目前Meta Quest 2出貨超過1000萬臺，達到一定數量級，自研芯片將有助于把控自己的產品節奏。畢竟芯片對產品性能、以及至于對應的功能、散熱、電池續航、尺寸和體積等至關重要，自研芯片將對產品設計有進一步的話語權，這是毋庸置疑的。但根據消息，目前自研芯片遇阻，Meta AR業務主管Alex Himel計劃推遲第二代Rayban產品發布日期（預計明年推出），同時依舊采用高通芯片。
供應鏈、價格波動都是壓倒駱駝的稻草
去年，美方曾要求臺積電、三星等芯片制造巨頭向其提供核心數據。
后來，美國對相關數據進行了分析，其表示出現芯片供應緊張主要還是因為各大芯片制造企業的產能不足。
在此之后，因為烏克蘭問題等原因，全球氖氣的供應出現問題。烏克蘭是這種特種氣體的重要出口國，因此氖氣價格暴漲，甚至翻了17倍。
緊接著，到了4月荷蘭ASML CEO警告稱，芯片制造商面臨的短缺可能還要持續兩年。阿斯麥的零部件短缺則會順著供應鏈流轉，馬上影響到英特爾、臺積電、三星等芯片巨頭們興建的新廠，而這些工廠大部分最快要明年才能投產。
而除了供應鏈問題外，價格的波動、成本升高之下，工廠也會節衣縮食，這非常可能致使tier 2的半導體公司縮減開支，不得已延后交付。
4月11日，DRAM大廠南亞科技表示，其價值 103 億美元的存儲芯片工廠的建設將推遲六個多月，生產最早也要到 2025 年才能開始。這一最新跡象表明，材料、設備和建筑工人的短缺正在拖累芯片制造商的擴張計劃，南亞科技受到了比預期更長的環境和其他監管審查的沖擊。
南亞科技是世界第四大 DRAM 芯片制造商，僅次于三星、SK 海力士和美光科技。其高管表示，監管和環境評估的時間比公司預期的要長兩到三個季度，此外還有其他因素，比如材料、零部件和建筑工人的短缺。還有，對智能手機和 PC 的需求開始放緩，電視機的需求也在放緩以及季節性原因都已經疊加。“目前是一些消費電子產品的淡季。烏克蘭問題使通脹擔憂更加嚴重，這已經開始打擊消費者支出。另一方面，目前中國大陸的封城主要影響制造業和物流。”南亞科技打出警告表示未來的需求和供應都存在“重大的不確定性”。
南亞科技DRAM的平均售價將繼續小幅下滑，DRAM 是電子產品需求的重要晴雨表，其價格從 2021 年第四季度末開始下跌，通貨膨脹開始成為經濟前景的擔憂。
目前，全球芯片制造商和芯片設備制造商正面臨前所未有的零部件短缺問題。有余糧才好過冬，情況持續嚴峻。
中國大陸在全球半導體鏈條中越來越重要。今年開始，疫情在中國大陸反反復復，疫情下芯片產業鏈眾生都成疲態。交通和人員管制對IC設計、制造、封測都造成了非常普遍的影響。IC設計的部分，盡管設計的部分對線下溝通不是剛需，但涉及生產操作的環節幾乎停滯，無法順利流片和拿到晶圓，無法給工廠測試和封裝，成品更是遙遙無期，貨物堆積港口，司機居家隔離，上下游的現狀則更令人擔憂，延期相比之下已經不是大事了。
放眼全球，延期已經成為半導體大廠的“心魔”，為了對抗心魔，許多公司遍地尋找供應商，英特爾CEO去年上任以來已經兩次前往臺積電會見臺積電的高管們，就是為了給英特爾保障自身產能。半導體的競賽正在白熱化，這不僅僅發生在國家之間，也發生在公司之間。
欲速則不達，創業不易，半導體更是如此，那我們是否應該可以多一些的耐心呢？
