天眼查官網顯示,近日睿力集成電路有限公司(下稱“睿力集成”)發(fā)生工商變更,新增股東阿里巴巴(中國)網絡技術有限公司、中國東方資產管理股份有限公司等19位股東,持股比例均未披露。

(資料源自天眼查)

可以看到,自本次變更完成后,睿力集成的注冊資本增加至485.8億元人民幣。而睿力集成上次增資完成后的注冊資本為401.9億元,以此計算睿力集成本次增資規(guī)模為83.9億元,增幅為20.88%。

據維科網·電子工程了解,睿力集成是一家集成電路研發(fā)商,主要從事集成電路及相關產品的生產、研發(fā)、設計、銷售等業(yè)務。其前身是成立于2016年6月13日的合肥智聚集成電路有限公司(下稱“智聚集成”),直到2017年4月18日才完成更名。

值得注意的是,2017年3月17日智聚集成注冊新資本由1000萬變?yōu)?000萬,法人由曹堪宇變?yōu)橥鯇巼６f起王寧國,半導體業(yè)內人士或許都知道這位“牛人”,他出生于南京,在臺灣長大,在加州伯克力取得博士學位后,曾服務于勞倫斯放射實驗室及貝爾實驗室,進行研究工作。

20世紀80年代王寧國進入美國應用材料公司,曾任職應用材料公司全球執(zhí)行副總裁及亞洲區(qū)總裁,主導多項技術開發(fā),為半導體制程設備技術帶來許多成功的突破,擁有百余項專利,被譽為“應用材料專利之王”。2005年,王寧國退出應材,2005年9月至2007年6月,擔任華虹集團CEO及華虹集團附屬公司華虹NEC董事長。2009年11月11日至2011年7月13日擔任中芯國際總裁、CEO兼執(zhí)行董事。

直到2018年7月,在合肥長鑫存儲及睿力傳出將進入量產的關鍵時間點,兆易創(chuàng)新原董事長朱一明,宣布辭去兆易創(chuàng)新CEO,由王寧國手上正式接任合肥長鑫存儲及睿力CEO。

而朱一明也曾先后在清華大學、紐約州立大學石溪分校獲得物理學碩士學位和電子工程系碩士學位,擁有美國硅谷多年的存儲器設計工作經驗。作為原兆易創(chuàng)新的總經理,朱一明帶領公司創(chuàng)造了中國芯片歷史上的多個第一:成功研發(fā)了國內第一顆SPI NOR Flash產品、第一顆靜態(tài)存儲器及IP技術、推出了國內首款基于ARM Contex-M3內核的32通用MCU產品。無疑,在朱一明的帶領下,長鑫存儲也走出了一個全新的發(fā)展高度。

子公司長鑫存儲實力強勁

回到本次資本加持案上,睿力集成之所以獲得阿里巴巴等數十家明星機構青睞,與其100%控股的子公司長鑫存儲技術有限公司(下稱“長鑫存儲”)密不可分。

作為國產DRAM動態(tài)隨機存儲器的代表廠商,長鑫存儲專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片(DRAM)的設計、研發(fā)、生產和銷售,DRAM產品廣泛應用于移動終端、電腦、服務器、虛擬現實和物聯網等領域,市場需求巨大并持續(xù)增長。公司目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產。

筆者在長鑫存儲的官網看到,早在2019年9月20日,長鑫存儲內存芯片自主制造項目宣布投產,與國際主流DRAM產品同步的8Gb DDR4首度亮相,一舉成為中國發(fā)展DRAM的希望之“芯”,這也標志我國在內存芯片領域實現量產技術突破,擁有了這一關鍵戰(zhàn)略性元器件的自主產能。

2020年2月底,長鑫存儲官方宣布,符合國際標準規(guī)范的自產DDR4內存芯片、DDR4內存條、LPDDR4內存芯片全面開始供貨,這也是DDR4內存第一次實現真正國產,并采用國產第一代10nm級工藝制造。

有公開資料顯示,截止2021年,全球DRAM總產能大約是150萬片/月,預測到2022年底,會提升至160萬片/月左右,而根據長鑫存儲公開表示,2021年公司已經實現6萬片/月的DRAM產能,預計2022年能翻一番,達到12萬片/月的產能,未來的目標是實現30萬片/月的產能。按此計算,長鑫存儲的產能約占全球市場份額的8%左右。

DRAM發(fā)展前景不容小覷

本次阿里巴巴等19家公司參與睿力集成增資,與DRAM的未來前景不無關系。

在當前半導體產業(yè)發(fā)展中,但看存儲領域,從應用上可劃分為易失性存儲器(RAM,包括DRAM和SRAM等),以及非易失性存儲器(ROM和非ROM)。

其中DRAM利用電容儲存電荷多少來存儲數據,需要定時刷新電路克服電容漏電問題,讀寫速度比SRAM慢,常用于容量大的主存儲器,如計算機、智能手機、服務器內存等。

在當前5G熱潮推動下,不管是移動DRAM還是服務器DRAM都迎來需求暴增。包括5G智能手機、物聯網、云服務、商用服務器/數據中心的強勁增長,拉動了DRAM需求。

另一個巨大的增量市場是車用DRAM,汽車智能化發(fā)展帶動了車用DRAM需求暴漲,隨著未來自動駕駛技術的普及和滲透,汽車將成為DRAM的新戰(zhàn)場。

值得注意的是,在當前全球半導體市場分類中,存儲器也是最大的細分市場,其次是邏輯芯片、模擬芯片和微處理器。而DRAM又是存儲器市場中規(guī)模最大的部分,占據規(guī)模約58%。

從競爭格局上看集中度明顯,三星、海力士、美光三大寡頭自2006年開始市占率大幅度上升,2018年三家巨頭合計占據超過95.5%的市場份額。現階段依然以這三家巨頭壟斷市場為主。

近年來,國產廠商在不斷推進DRAM產業(yè)發(fā)展,但短期內難以改變市場格局。具體來看,國產DRAM三劍客:

紫光南京產品線覆蓋標準SDR、DDR、DDR2、DDR3、DDR4和低功耗系列LPDDR2、LPDDR4。量產環(huán)節(jié)主要由力晶半導體完成,尚無自產能力;

福建晉華主要研發(fā)利基型DRAM技術,規(guī)劃第一階段做25nm4GBDDR4/DDR3產品。但在2018年受到美國制裁,如今項目暫時處于停擺狀態(tài);

長鑫存儲主要生產移動型DRAM,目前已具備量產能力。2018年成功量產DDR4,2019年成功量產LPDDR4,是現在大陸唯一能夠自主生產DRAM的廠商,目前工藝尺寸為19nm。長鑫存儲是我國短期內完成DRAM國產替代的最大希望,但依然還有很長的路要走。