12月23日消息，近日，證監會發布公告稱，我會按法定程序同意蘇州東微半導體股份有限公司科創板首次公開發行股票注冊，將與上海證券交易所協商確定發行日程，并陸續刊登招股文件。
東微經營狀態良好，凈利潤增長幅度高達504．34％
據了解，蘇州東微半導體最早在2021年11月19日提交了招股說明書（注冊稿），注冊申請科創板IPO上市。
根據招股說明書內容，東微半導體擁有逾 900 種功率半導體產品型號，特別適用于直流大功率新能源汽車充電樁、新能源汽車車載充電器、5G 通信電源、數據中心服務器電源、PC電源、適配器、TV 電源板、手機快速充電器等領域。
并且東微半導體的主要經營銷售的產品為 MOSFET 產品，包括高壓超級結MOSFET 及中低壓屏蔽柵 MOSFET 等。在未來幾年里，東微半導體將繼續投入新型 MOSFET、IGBT 等功率器件的技術開發。
截止2021年9月30日，東微半導體資產總額為56364．37萬元，同比增長28．79％，其2021年前三季度的總營收為為55919．47萬元，同比增長183．11％，增長速度迅猛，凈利潤為9276．86萬元，同比增長504．34％，東微半導體表示，公司的營收和凈利潤出現大幅度增長，主要受益于于新能源汽車充電樁、通信電源、5G基站電源等終端市場需求快速提升，客戶對公司的采購規模得到大幅度增長。
（圖源東微招股說明書）
本次上市成功后，東微半導體預計將募集到的資金在金扣除發行費用后，繼續加碼公司主營產品超級結與屏蔽柵功率器件，并用于科技與發展儲備資金項目中，具體情況如下：
MOSFET市場前景良好，東微獲華為哈勃、聚源聚芯增資
據Omdia統計數據顯示，2020 年度全球高壓超級結 MOSFET 產品的市場規模為 9．4 億美元，并將于 2024 年達到 10 億美元。采用超級結結構的高壓 MOSFET 相對于普通高壓MOSFET 具有更高的成長性，預計在高壓 MOSFET 市場的占比將持續提升。
目前，東微半導體司在高壓超級結技術領域擁有包括優化電荷平衡技術、優化柵極設計及緩變電容核心原胞結構等行業領先的專利技術，產品的關鍵技術指標達到了與國際領先廠商可比的水平。在中低壓領域，公司亦積累了包括優化電荷平衡、自對準加工等核心技術，產品的關鍵技術指標達到了國內領先水平。
受益于MOSFET產品良好的市場前景以及東微半導體 MOSFET 功率器件的良好表現，中芯國際控股子公司持股的聚源聚芯及華為哈勃紛紛加碼東微半導體。
在2017 年 3 月 20 日，聚源聚芯與東微有限簽署《蘇州東微半導體有限公司投資協議》，約定由聚源聚芯向東微有限投資 2000萬元，成為東微半導體第四大股東，占股11．3636％。
2020 年 4 月 29 日，哈勃投資與東微有限股東簽署《增資協議》，約定哈勃投資向東微有限投資 7530萬元，自此華為哈勃成為東微半導體的第6大股東，占股7％。
在經歷了多次增資之后，東微半導體的前10股東與股本結構如下所示：
新興產業助力MOSFET器件迅猛發展
據了解，東微半導體是一家以高性能功率器件研發與銷售為主的技術驅動型半導體企業，其超級結 MOSFET產品已被廣泛應用于熱門領域如新能源汽車直流充電樁、5G 基站電源及通信電源等領域。
新能源汽車充電樁
近年來，國內新能源汽車產業持續火熱，在2020年，新能源汽車充電樁更是被列入國家七大“新基建”領域之一。2020 年 5 月兩會期間，《政府工作報告》中強調“建設充電樁，推廣新能源汽車，激發新消費需求、助力產業升級”。
近幾年來，國內充電站保有量已由 2015 年 1069 座增加到 2019 年的 35849 座，復合年增長率為 140．64％。
而充電站所需要用到的功率器件主要以高壓MOSFET 為主。超級結 MOSFET 因其更低的導通損耗和開關損耗、高可靠性、高功率密度成為主流的充電樁功率器件應用產品。
5G基站
目前全球范圍內正火熱興起的5G基站建設同樣需要用到MOSFET功率器件。
2019年中央經濟工作會議提出要加快5G商用步伐；2020年3月中央政治局常委會會議突出強調，要加快5G網絡、數據中心等新型基礎設施建設進度；
到了今年的12月20日，全國工業和信息化工作會議在北京召開。會議介紹，今年以來，我國已建成開通5G基站超過130萬個，5G終端用戶達到4．97億戶，居于全球第一。
因為5G基站的功率要求較高，且建設密度密集，需要大量的電源供應需求及性能強勁的功率半導體器件，所以5G基站事業的發展，將進一步拉動功率器件產業的發展。
據了解，4G 基站所需功率為 6．877kW，而 5G 基站所需功率為 11．577kW，提升幅度達到 68％。對于多通道基站，功率要求甚至可能達到 20kW。更高的覆蓋密度、更大的功率需求對 MOSFET 等功率器件產生了更大的需求。
其中，東微半導體的主要產品超結級MOSFET功率器件使用了電荷平衡理論，能夠顯著降低高電壓下 MOSFET 單位面積的導通電阻，并且超級結 MOSFET 擁有極低的 FOM 值，可實現極低的開關能量損耗和驅動能量損耗，這就使超級結 MOSFET 可以很好地滿足 5G 基站建設需求。
新能源汽車
同樣的，隨著現在汽車行業正逐步向著智能化方向推進，新能源汽車的發展勢頭不止，而相較于傳統燃油車，新能源汽車對于車規級功率器件的需求量更大。
根據2020 年 11 月國務院印發的《新能源汽車產業發展規劃（2021－2035 年）》數據顯示，2025年新能源汽車新車銷售量達到汽車新車銷售總量的20％左右，年總銷量將達到500－600 萬輛。以2025年年總銷量600萬輛測算，未來5年新能源汽車新車銷售復合年均增長率為 34％左右。
新能源汽車產業的快速發展，代表著汽車行業對于半導體芯片的需求增加，根據Strategy Analytics 提供的數據分析，傳統燃料汽車中功率半導體芯片的占比僅為 21．0％，而新能源汽車中功率半導體芯片的占比高達 55％。而IGBT、MOSFET等多項功率半導體是源汽車價值量提升最多的部分。
綜上所述，新能源汽車、5G 通信基站建設、充電樁等行業的迅猛發展，將帶來巨大的功率半導體旗艦需求。
全球功率半導體市場潛力巨大
眾所周知，近幾年來，全球的半導體行業發展勢頭良好，半導體芯片市場普遍處于供不應求狀態，多家半導體廠商受益于此，營收大增。根據 Omdia 數據顯示，2019 年全球功率分立器件市場規模約為 160 億美元。MOSFET器件是功率分立器件領域中占比最大的產品，全球市場份額達到 52．51％；
目前，國內的功率半導體產業還在持續發展，市場規模龐大，是全球最大的功率半導體消費國，2019 年國內功率半導體市場規模達到 177 億美元，增速為－3．3％，占全球市場比例高達 38％。預計未來國內功率半導體市場將繼續保持平穩增長，2024 年市場規模有望達到 206 億美元，
如今，東微半導體即將上市，將募集到大量資金，再加上其自有的高壓超級結MOSFET技術，將為其帶來強勁的核心競爭力，在全球及國內的功率器件市場里占據一席之地。
