據(jù)曹妃甸發(fā)布消息，11月26日，南京大學半導體裝備及電子新材料項目簽約儀式舉行。
圖片來源：曹妃甸發(fā)布
曹妃甸發(fā)布消息顯示，南京大學半導體裝備及電子新材料項目計劃總投資2.4億元，預期年產(chǎn)值不低于3.2億元。目前已經(jīng)完成公司注冊，正在進行廠房裝修設(shè)計，預計明年五月份投產(chǎn)。
據(jù)了解，南京大學半導體裝備及電子新材料項目由國家級領(lǐng)軍人才南京大學葛海雄、寧興海兩位教授團隊投資建設(shè)。該團隊自主研發(fā)的成膜裝備各項技術(shù)參數(shù)全部達到國際標準，目前首套成膜設(shè)備已在合肥京東方投入使用。該技術(shù)的順利實施，精準解決了當前國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)低電阻成膜設(shè)備全部歐洲進口的窘迫現(xiàn)狀。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。