今日，瀾起科技宣布其DDR5第一子代內(nèi)存接口及模組配套芯片已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該系列芯片是DDR5內(nèi)存模組的重要組件，包括寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器 （RCD）、數(shù)據(jù)緩沖器 （DB）、串行檢測(cè)集線器 （SPD Hub）、溫度傳感器 （TS） 和電源管理芯片 （PMIC），可為DDR5 RDIMM、LRDIMM、UDIMM、SODIMM等內(nèi)存模組提供整體解決方案。
隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，內(nèi)存技術(shù)現(xiàn)已發(fā)展至DDR5世代。作為業(yè)界領(lǐng)先的內(nèi)存接口芯片組供應(yīng)商和JEDEC內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的積極貢獻(xiàn)者，瀾起科技專注于內(nèi)存接口技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新，這次推出的DDR5第一子代內(nèi)存接口芯片RCD/DB，支持的最高速率達(dá)4800Mbps，是DDR4最高速率的1.5倍；接口電壓低至1.1V，能耗更低；采用創(chuàng)新的信號(hào)校準(zhǔn)協(xié)議及均衡技術(shù)，大幅提高了內(nèi)存信號(hào)完整性。
與DDR4內(nèi)存模組相比，DDR5內(nèi)存模組在架構(gòu)上進(jìn)行了革新，除配置內(nèi)存顆粒和內(nèi)存接口芯片之外，還需要搭配其它專用配套芯片。瀾起科技精準(zhǔn)把握這一技術(shù)趨勢(shì)，首次推出了DDR5 PMIC、TS 及SPD Hub這三款配套芯片，可為DDR5內(nèi)存模組提供多通道電源及管理、多點(diǎn)溫度檢測(cè)、I3C串行總線及路由等輔助功能。這些配套芯片與內(nèi)存接口芯片一起，共同助力DDR5內(nèi)存模組在速度、容量、節(jié)能及可靠性等方面實(shí)現(xiàn)全面提升，滿足新一代服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)及便攜式電腦對(duì)內(nèi)存系統(tǒng)的更高要求。
10月27-28日，作為英特爾公司多年的生態(tài)伙伴，瀾起科技應(yīng)邀參加了英特爾舉辦的在線創(chuàng)新峰會(huì) （Intel Innovation），并在英特爾官網(wǎng)布置虛擬展臺(tái)，以視頻、圖片和宣傳彩頁等形式向業(yè)界展示了這五款芯片及其應(yīng)用場(chǎng)景。
瀾起科技在英特爾創(chuàng)新峰會(huì)布置虛擬展臺(tái)
瀾起科技的銷售及商務(wù)拓展副總裁Geof Findley表示：
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瀾起在內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域深耕多年，基于DDR2、DDR3、DDR4這幾代產(chǎn)品的成功研發(fā)和量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，我們非常高興能為英特爾最新一代的服務(wù)器和客戶端產(chǎn)品提供性能更強(qiáng)、可靠性更高的DDR5內(nèi)存接口解決方案。
”
英特爾公司數(shù)據(jù)平臺(tái)集團(tuán)副總裁兼內(nèi)存和IO技術(shù)總經(jīng)理Carolyn Duran表示：
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英特爾與瀾起科技在內(nèi)存領(lǐng)域已密切合作了十多年，熱切期待在DDR5內(nèi)存世代繼續(xù)與瀾起科技展開深度合作。
”
展望未來，瀾起科技將以自身在內(nèi)存接口領(lǐng)域的深厚積累和生態(tài)優(yōu)勢(shì)，持續(xù)為客戶提供卓越的內(nèi)存接口產(chǎn)品與服務(wù)，為數(shù)據(jù)中心、云計(jì)算及人工智能行業(yè)創(chuàng)造更大價(jià)值！
