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英偉達的3D芯片堆疊方案

2021-09-23
來源:半導體行業觀察
關鍵詞: 英偉達 3D芯片

  一段時間以來,半導體公司一直在探索擺脫傳統單片 GPU 芯片設計的方法,尋找能夠實現更好的性能擴展同時將生產成本保持在合理水平的方法。Nvidia 推動事物向前發展的最新方法是使用硅通孔 (TSV) 技術和增強的功率傳輸方法引入3D 芯片堆疊。這聽起來類似于我們已經從 AMD、英特爾和臺積電那里聽說過的技術,但也存在一些差異。

  我們已經知道英偉達一直在計劃擺脫單片芯片設計。該公司一直在積極探索使用不同封裝技術獲得更高性能的方法,最新的方法是使用多芯片模塊 (MCM) 來構建具有持續性能可擴展性的 GPU。

  早在 2017 年,英偉達就在國際計算機體系結構研討會 (ISCA) 上展示了其 MCM-GPU 設計。英偉達計劃使用多個邏輯芯片來互連大量內核,并開發具有持續性能改進的新 GPU,同時管理成本。隨著 GPU 芯片越來越大,它們的成本呈指數級增長,因此制作一些相互連接的較小芯片是更具成本效益的解決方案。MCM-GPU 封裝方法解決了這個問題,因為它連接多個芯片,從而提供巨大的性能提升作為回報。

  芯片設計不限于二維縮放,而這正是英偉達今天所獲得的專利。Nvidia 提出了“使用擴展 TSV 增強功率傳輸的面對面die”,提出了半導體die的 3D 堆疊,并特別說明了使用超長硅通孔 (TSV) 增強功率傳輸。

  這種設置的工作方式是首先使用芯片表面上的探針墊測試基礎芯片。之后,在第一個die的表面上形成界面層,覆蓋在已經存在的探針焊盤上。最后,取出第二個die并將其安裝在界面層上,將die間接口的焊盤連接到其他die上的互補連接。這創建了裸片的面對面安裝,3D 芯片誕生了。

  Nvidia 的專利專注于使用超長 TSV 增強電力傳輸。當像這樣將芯片堆疊在一起時,您可以連接從邏輯(處理核心)到內存的任何東西。通常,連接內存不需要太多電力,因此提及增強的電力傳輸使我們得出結論,Nvidia 計劃執行處理內核的堆疊,為 3D 處理器創建面向計算的方法。

  當然,申請專利并不意味著實際產品必須使用專利技術。公司經常為發明申請專利以防止他人這樣做,或者只是作為未來產品的占位符。無論哪種情況,我們都已經知道 MCM-GPU 方法即將到來,像 Hopper 這樣的一些下一代 GPU 架構可以利用 3D 芯片堆疊的優勢來獲得競爭優勢。




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