1nm制程可能不再遙遠。
作者 | 來自鎂客星球的家衡
將芯片越做越薄,一直都是科學家們的夢想。
但我們都知道,現(xiàn)有的硅晶體已經(jīng)越來越接近物理極限。
想要從“納米級”突破到“原子級”,只能靠二硫化鉬等超薄半導體材料來幫忙。
近日,來自瑞士巴塞爾大學的研究人員宣布,他們成功在二硫化鉬材料上加入了超導體觸點,從而展示與硅晶體類似的特性。
這次實驗的成功,驗證了超薄半導體材料制造半導體元器件的可行性。
實驗展示超薄半導體材料的新特性
本次實驗由Andreas Baumgartner博士領導,其領導的研究小組計劃將一些具有半導體性質(zhì)的天然材料層疊形成三維晶體,再與超導體結合起來,繼而探究新材料的特性。
在實驗開始,研究人員先將二硫化鉬分離成單獨的層,這些單層的厚度不超過一個分子。
接著,研究人員像“制作三明治”一樣在單層的二硫化鉬兩側加入兩層薄薄的氮化硼。在手套箱中的保護性氮氣保護下,研究人員將氮化硼層堆疊在二硫化鉬層上,并將底部與另一層氮化硼以及一層石墨烯結合。
然后,研究人員將這種復雜的范德華異質(zhì)結構(一種特殊的三維結構)放置在硅/二氧化硅晶片的頂部。
這樣就堆疊出一個類似于半導體元件的全新合成材料。
在堆疊完成后,研究人員開始在絕對零度以上(-273．15攝氏度)的低溫下進行實現(xiàn)觀察。
最后他們發(fā)現(xiàn),在超低溫的條件下,超導電測量清楚地顯示了超導引起的效應;例如,單電子不再被允許通過。此外,研究人員還發(fā)現(xiàn)了半導體層和超導體之間存在強耦合的跡象。這些特性與目前半導體芯片的物理特性十分相似。
研究項目經(jīng)理鮑姆加特納解釋說:“在超導體中,電子將自己排列成成對,就像舞伴一樣,產(chǎn)生了奇怪而奇妙的結果,比如電流的流動沒有電阻。另一方面,在半導體二硫化鉬中,電子表演一種完全不同的舞蹈,一種奇怪的獨舞,也包含了它們的磁矩。現(xiàn)在,如果我們把這些材料結合起來,我們想親自看到這奇異的舞蹈。”
簡單來說,本次實驗驗證了超薄半導體材料代替硅晶體的可行性,為下一代半導體制造器件提供了新的思路。
二維材料為“摩爾定律”續(xù)命
如今的芯片制程工藝,已經(jīng)完成了5nm的突破,科學家們發(fā)力向1nm的極限沖刺,今年5月6日,IBM率先宣布造出2nm芯片,頓時讓整個半導體圈子歡欣鼓舞。
但由于摩爾定律的存在,即使單位面積容納的晶體管數(shù)量逐步提前,但是效能無法得到顯著提升,在硅晶片的物理特性即將達到極限的背景下,1nm工藝像一座大山擋在硅技術面前。
此外,在目前的先進制程里,都需要絕緣體的存在,他們存在的意義是要協(xié)助電子能順利通過晶體管里的通道,當制程持續(xù)向下走,通道勢必越來越小,晶體管之間的串擾會很大,芯片的效能表現(xiàn)也會大打折扣。
例如一顆5nm工藝材料的芯片里,已經(jīng)塞下太多的晶體管,一旦電子黏在芯片內(nèi)部的氧化物絕緣體上,就會導致電流不易通過,最終引起功耗增加、芯片發(fā)熱等問題。
這也是為什么我們會吐槽臺積電和三星5nm工藝紛紛“翻車”,因為這真的太考慮后期的打磨。
既然三維的材料會讓電荷依附在上面,那么用二維材料作為替代品,可以完美避免電流通過的問題。
目前,業(yè)內(nèi)普遍采用二硫化鉬作為二維超薄單層材料,這也是被認為是突破硅晶片小型化限制的最有力替代品。
臺積電押注鉍(Bi)材料
事實上,除了此次瑞士巴塞爾大學的研究以外,學術界早已在二維材料連接上有所突破。
早前,麻省理工學院(MIT)的孔靜教授領導的國際聯(lián)合攻關團隊宣布與臺大、臺積電共同完成合作,使用原子級薄材料鉍(Bi)代替硅,有效地將這些2D材料連接到其他芯片元件上。
當鉍(Bi)材料被作為二維材料的接觸電極時,可以大幅度降低電阻并且提升電流。
正如前文所說,金屬和半導體材料之間的界面會產(chǎn)生了一種叫做金屬誘導的間隙(MIGS)狀態(tài)現(xiàn)象,抑制電荷載體的流動。而屬于半金屬的鉍(Bi)材料,電子特性介于金屬和半導體之間,可以有效消除了電荷流通的問題。
目前,臺積電技術研究部門已經(jīng)開始“鉍(Bi)沉積制程”技術的研究,這項研究已經(jīng)成為未來1nm工藝的突破所在。
通過這項技術,研究人員可以設計出具有非凡性能的微型化晶體管,可以有效滿足了未來晶體管和芯片技術路線圖的要求。
1nm正慢慢成為現(xiàn)實
超薄半導體材料的成功驗證,給我們展現(xiàn)出下一代半導體的無限潛力,未來的計算機或者會隨著超薄半導體材料的成熟展現(xiàn)出全新的姿態(tài)。
同時我們也要看到,臺積電、IBM都在積極搶占1nm先進制程工藝。
關于下一
代半導體的競爭已經(jīng)悄然開始。
