美光在今年1月發表導入1α制程的DRAM產品，本月則已開始大量出貨使用1α制程的LPDDR4xDRAM。美光亦在業界領先的數據中心平臺（例如第三代AMD EPYC）完成1α制程DDR4的驗證，目前兩款產品皆已在包含臺中A3 新廠的美光臺灣先進DRAM 廠區量產中。
與其競爭對手不同的是，美光至少在幾年內不打算使用極紫外 （EUV） 光刻技術。然而，由于該公司仍需要提高其存儲芯片的密度并降低其每比特成本，但美光可以依靠其自身的其他創新技術來實現縮小其 DRAM 的尺寸。美光的 1α 節點 與 1Z 相比，位密度提高了 40%，功耗降低了 15%。它還提供更高的性能潛力。
美光1α制程存儲器席卷市場，以先進的DRAM 技術帶動創新，不管是服務器平臺以數據為中心的工作負載，或消費型輕薄筆電，皆能受惠。1α 制程有助提升存儲器電源效率，更長的電池續航力更讓筆電攜帶更加便利，適用于現今居家辦公和學習的環境。
美光也表示，有鑒于遠距辦公與教學日益普遍，美光與全球個人電腦生態系統伙伴密切合作，在個人電腦需求激增趨勢下提供最新存儲器技術，其中包含與臺灣OEM業者宏碁（2353）攜手合作，將使用1α制程的LPDDR4x和DDR4應用至宏碁系統中。
此外，美光今（2）日也宣布車用的128 GB及256 GB容量的96層NAND快閃存儲器已開始送樣，兩者同屬美光領先業界的UFS 3.1 接口NAND 新產品組合。隨著車用資訊娛樂系統不斷更新，現已包含高畫質顯示屏，并搭載應用人工智能技術（AI）的人機接口，可處理聲音、手勢及影像辨識。美光UFS 3.1 產品組合正可提供汽車業亟需的低延遲、高傳輸儲存解決方案。
美光UFS 3.1 存儲器讀取速度比UFS 2.1 快兩倍，讓數據密集的車用資訊娛樂系統及先進駕駛輔助系統（ADAS）開機更快，延遲降低。此外，UFS3.1 存取效能提高50%，能符合Level 3 以上ADAS 感測器、相機以及汽車黑盒子即時終端儲存（local storage）增加的需求。
