過去十幾年中，我國的通訊產業經歷了從2G到3G，再由3G到4G的更新迭代。2019年，三大運營商公布5G商用套餐，正式標志著中國開始進入5G商用時代。5G時代的到來，不僅大幅提升了通訊速率和效率，促進了數字經濟的蓬勃發展及硬件設備的換代升級，也對信號傳輸提出了更高要求。
在無線通訊行業，射頻芯片被稱為模擬芯片領域“皇冠上的明珠”，在信號傳輸過程中扮演著十分重要的角色。其作為無線連接的核心，能夠將射頻信號和數字信號進行轉化，因此凡是接入移動互聯網的設備均需要射頻前端芯片。具體而言，射頻芯片包括低噪聲放大器（LNA）、射頻開關（RF Switch）、 功率放大器（PA）、濾波器（Filter）等多種器件。
伴隨著通信產業的跨越式發展，射頻器件作為無線通訊不可缺少的基礎一環，市場需求量也在不斷提升，據Yole Development的數據顯示，2018年全球移動終端射頻前端市場規模為150億美元，而預計到2025年有望達到258億美元[1]。面對快速增長的市場需求及我國5G技術的高速發展，實現射頻芯片本土化替代的需求不斷加快，這也為我國射頻產業鏈企業的發展提供了良好的機遇。
作為中國領先的模擬與分立半導體設計公司，豪威集團旗下韋爾半導體一直致力于高性能射頻器件的研發，持續引領射頻新技術發展，尤其在低噪放（LNA）、射頻開關（RF Switch）、天線調諧器（Tuner）領域，已打造出成熟的產品布局。其射頻產品依靠新設計、新工藝和新材料的結合，突破了傳統的設計思路，為無線通信領域多元化的產品提供創新動力。
在射頻器件中，射頻開關（RF Switch）可用于實現射頻信號接收與發射的切換及不同頻段間的切換。隨著5G商業化落地，不同頻段信號接收、發射的需求量不斷增大，對射頻開關的要求也隨之增加。韋爾半導體最新推出了HWS7804LMA、VWS7802LA、VWS7822LE三款5G射頻開關器件，具有低插入損耗，高端口隔離度的特性，可支持高頻6GHz應用，即使遠隔千山萬水，也能保障良好的信號發射和接收效果。
HWS7804LMA采用RF CMOS絕緣體上硅（SOI）技術，是一顆大功率MIPI控制的單刀四擲開關，適用0.1G-6GHZ的寬帶射頻范圍，并針對高性能GSM、CDMA、WCDMA、LTE和5G NR 應用進行了優化，具有低導通電阻、低關斷電容和高功率承受能力的特性。該射頻開關設置RFFE2.1控制接口，并采用1.1mm×1.1mm 9引腳進行封裝，無需再外加隔直電容。憑借低功耗及小封裝的優勢，HWS7804LMA可廣泛應用于手機、蜂窩調制解調器和USB設備及多模GSM、EDEG、WCDMA、LTE和5G NR 應用中。
HWS7804LMA
VWS7802LA是一款高功率的單刀雙擲開關，對5G NR高功率、高線性度進行了優化，可廣泛應用于5G射頻前端。
VWS7822LE則是一款具有優質線性度的雙刀雙擲轉換開關，其優質的線性度和諧波性能非常適合多模 GSM、EDGE、UMTS和LTE手機應用。在產品設計方面，VWS7822LE采用1.5mmx1.1mm 10pin的緊湊封裝尺寸，可在1.4V-4.2V的供電電壓范圍內工作，適用于多元化平臺和產品形態，幫助設計人員將其快速集成到多模多頻段系統中，大大滿足市場對射頻開關復雜功能的需求。
VWS7822LE
除上述三款全新產品外， 韋爾半導體還擁有幾乎全系列LTE分立接收開關。其中WS7810QM（單刀十擲）和WS7812QD（雙刀12擲）均采用MIPI控制，可使射頻前端達到最優布局，具有低插損、高隔離、高線性度等特點，支持到3.8GHz高頻應用，并具有大量量產經驗，封裝可靠性得到有效保證。兩款產品均為手機、蜂窩通訊模塊、數據卡等應用場景設計。
此外，韋爾半導體還在2019年分別推出了WS7854QA及WS7872DA兩款產品。WS7854QA是一款帶ESD防護的單刀四擲開關，針對3G/4G射頻路徑和分集應用進行了優化，并具有高線性度、低插入損耗的優勢，其工作頻率可高達3GHz，可滿足LTE TRx的中功率需求，已被廣泛應用于WCDMA/LTE手機和數據卡應用中，可為手機、平板電腦等移動設備提供更長的續航時間。在產品封裝上，WS7854QA則采用1.1x1.1 mm?緊湊型四方扁平無引線（QFN）封裝結構，消除了側向突出于封裝之外的耗費空間大的外部引線，有效改善封裝時連接可靠性。
WS7872DA則屬于單刀雙擲（SPDT）開關。該產品工作頻率可高達6GHz， 并具有高線性度、較低的插入損耗、開關切換時間快等優勢。WS7872DA采用1.0 x 1.0 mm?緊湊型雙扁平無引線（DFN）封裝結構，且功耗極低，是802.11 a/b/g/等WLAN應用的理想選擇。
除射頻開關產品外，韋爾半導體還擁有一系列低噪音放大器（LNA）產品。區別于控制信號通道轉換作用的射頻開關，低噪聲放大器（LNA）則可將接收到的微弱射頻信號放大，并盡量降低噪聲的引入，以實現良好的信噪比。WS7932DE 是韋爾半導體研發的第3代LTE LNA產品，采用COMS工藝實現了18dB的高增益，有效提升了系統接收靈敏度，并憑借0.8dB的低噪聲系數，大大提高了輸出信噪比。同時，WS7932DE采用了業界通用的1.1mm X 0.7mm小尺寸封裝，與主流型號兼容，方便調試替換，既為產品設計節省了寶貴的內部空間，又利于加速產品上市速度。
如今，人們已逐漸認識到“中國芯”替代在科技競爭中的重要作用，隨著5G技術及通訊產業的跨越式發展，射頻器件的重要性也愈發凸顯。韋爾半導體憑借前瞻的技術研發、基于十余年技術積累和自主的技術架構工藝創新，已自行研發出可廣泛覆蓋手機和通訊模塊市場、WiFi路由器市場和通訊基站市場的射頻前端解決方案。面向5G時代，韋爾半導體也將持續專注于技術革新，推動“中國芯”從跟隨到主導，從國產替代到齊頭并進，攜手行業共同發力5G在中國乃至全球的發展。