編者按：自2018年12月被首次提出以來，“新基建”持續升溫。進入2020年，隨著國家層面對新型基礎設施建設的密集推動與部署，“新基建”迎來風口。新基建所囊括的各領域發展都受到廣泛關注。作為現代電子信息技術發展的基礎和關鍵，半導體和集成電路產業對于新型基礎設施建設至關重要?！靶禄ā比缁鹑巛保瑢Π雽w行業帶來了哪些機遇和挑戰？2021年的新基建將有哪些新的特點？對半導體領域的技術發展有哪些促進和拉動？為此， ChinaAET專訪了多家半導體企業，請他們談一談新基建的“芯”動力。

        “新基建”涉及了多個不同的應用領域，但其中幾個重要領域，如5G基礎設施、特高壓、軌道交通、新能源充電樁等的建設，都對功率器件、模擬器件以及電源管理IC有著大量的需求。同時，這些領域還都對電子元器件有一項共同的需求——高的質量品質。有一家歷史悠久的半導體企業，奉行的企業理念是“產品質量第一”，那就是羅姆（ROHM）。對于“新基建”，ROHM有哪些觀點？日前，羅姆半導體（深圳）有限公司技術中心高級經理蘇勇錦先生接受了ChinaAET專訪，深入介紹了羅姆對于新基建主要領域的分析和解讀。

羅姆半導體（深圳）有限公司技術中心高級經理蘇勇錦

5G基礎設施建設

        蘇勇錦介紹，在5G通信中，除了基帶單元之外，還有被稱為“遠程無線電頭（RHH）”的單元，這種單元在每個基帶單元上都會附有幾個，負責轉換RF信號等。由于“遠程無線電頭(RRH)”中配備了大量通信用的陣列天線，因此用來放大功率的傳感器放大器和用來進行高級控制的電流檢測用分流電阻器等通用產品的需求日益增長。

        此外，在基帶單元中，對ROHM先進的功率元器件和模擬元器件的需求與日俱增。盡管各國所使用的頻段各不相同，但與4G通信相比，5G通信通常是在高頻段進行的，因此業內正在研究能夠高效率且高頻工作的SiC和GaN等功率元器件的應用。另外，基帶單元的設計中，通過電源部分的設計來節能的做法增加。這是因為5G通信的基站比4G通信多，尤其需要減少基站外圍的功耗。ROHM的電源IC系列產品采用ROHM自有的模擬技術，可高效率工作，非常有助于基帶單元的進一步節能，因此各通信設備制造商已經開始評估采用。

        蘇勇錦表示，ROHM將繼續為不斷增長的市場開發電源、模擬和標準產品領域的高附加值產品，同時，將繼續加強晶體管、二極管和電阻器等通用元器件的制造和生產能力，致力于確保長期穩定的供應。

新能源汽車充電樁

        蘇勇錦介紹，充電樁的主要發展趨勢包括大功率和雙向充電。

        在大功率方面，通過將充電樁的功率從以往的120 kW提高到300 kW，可以大大縮短充電時間。相應地，控制用的功率元器件也需要具有更高的耐壓能力，比如從以往的400 V提到1000 V。為了提高功率元器件的耐壓，比起IGBT，通常更多使用SiC或Si超級結MOSFET。特別是ROHM正在開發中的第四代SiC MOSFET，耐壓能力高達1000 V以上，特性變化受溫度影響較小，并且損耗更低，因此有助于提高充電樁的效率并進一步節能。

        關于第二個發展趨勢雙向充電，作為智能電網的一部分，V2H（Vehicle to Home，由車輛向家庭供電）和V2G（Vehicle to Grid，由車輛向電網供電）等雙向充電樁開始普及。

        在雙向充電的情況下，要求功率元器件要在比當前主流的單向充電方式更高的頻率范圍工作。ROHM正在開發中的第四代SiC MOSFET能夠高速開關。因此不僅可以在高頻范圍工作，而且還有助于線圈的小型化，是雙向充電樁的理想選擇。

特高壓和軌道交通

        蘇勇錦介紹到，在特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁這三種電力設施中，特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通需要3.5 kV～6 kV的功率元器件，人們對采用SiC來實現節能和小型化寄以厚望。雖然不是主電源，但在輔助電源應用中已經開始采用SiC。ROHM目前重點發展的SiC產品適用于1000 V級車載和工業設備應用。作為長期生產模擬IC產品的制造商，ROHM不僅可以提供SiC單品，還可以配套提供電源和模擬相結合的解決方案。

        例如，2015年，ROHM面向工業設備用的輔助電源，開發出用來驅動SiC MOSFET的高耐壓、低損耗AC/DC轉換器控制IC。在2019年，ROHM開發出第一款內置SiC MOSFET的AC/DC轉換器IC，促進了SiC在工業設備中的應用。此外，在充電樁領域，ROHM通過提供使用了SiC MOSFET、柵極驅動器和分流電阻的電流檢測系統，為構建高效和安全的系統貢獻力量。這些綜合解決方案已經獲得了高度好評。

        蘇勇錦介紹，在汽車和工業設備領域，ROHM正在積極展開行動，最近面向中國的新能源汽車，與驅動領域的領軍企業——臻驅科技合作成立了聯合實驗室，以開發搭載SiC的車載逆變器；還與德國大陸集團緯湃科技建立了開發合作伙伴關系。

        蘇勇錦表示，關于GaN，我們認為GaN在耐壓100 V～600 V左右的范圍有望普及。其應用包括耐壓600 V的車載充電器，耐壓100 V的話，適用48 V服務器以及車載電源領域。ROHM目前正在面向這些領域開發GaN產品。GaN的某些性質只有在高頻下才會發揮出其優點，因此GaN器件的驅動變得非常重要。ROHM也在開發用于驅動GaN的驅動器，并且通過將LSI驅動器和GaN配套發布，與僅開發GaN器件的同行業公司相比實現差別化。