在2017年之前,全行業(yè)的資本支出總額不超過700億美元,2017年三星狂賭存儲器,其半導體支出飆升到242億美元,帶動存儲器廠商掀起又一輪投資狂潮,最終帶動全球半導體支出在2017年創(chuàng)出956億美元新高,比2016年多出278億美元,半導體設備廠商賺到盆滿缽滿。

1月4日,據(jù)中國臺灣媒體報道,臺積電將2021年資本支出上調至200億美元以上——可能會達到220億美元。而1月9日,據(jù)日經(jīng)亞洲評論報道,三星電子2021年將在半導體業(yè)務投資300億美元以上。如果計劃最終實現(xiàn),那將是臺積電資本支出首次超過200億美元,也是三星電子在半導體上首次投資超過300億美元,標志著半導體行業(yè)領先者的金元轟炸提升到一個新級別。

300億美元是什么概念?進入二十一世紀以來,有兩年全行業(yè)資本支出不到300億美元,分別是2002年和2009年,2003年全行業(yè)支出也僅有313億美元。也許你會說這些數(shù)據(jù)都太久遠,但實際上,在2017年之前,全行業(yè)的資本支出總額不超過700億美元,2017年三星狂賭存儲器,其半導體支出飆升到242億美元,帶動存儲器廠商掀起又一輪投資狂潮,最終帶動全球半導體支出在2017年創(chuàng)出956億美元新高,比2016年多出278億美元,半導體設備廠商賺到盆滿缽滿。

另一組數(shù)據(jù)也很有意思。2017年至2019年中國所有半導體廠商資本支出為308億美元,2019年中國境內半導體公司(含外資公司)生產(chǎn)的芯片總值為227億美元。也就是說,三星一年投入頂中國廠商三年投入總和,中國一年所有產(chǎn)出的芯片銷售額加起來不夠三星一年的資本支出。而大基金二期總金額為290億美元,也不到300億美元。

三星和臺積電的瘋狂投入,還有可能讓他們拉開與英特爾在制造工藝上的差距。先看三家2019年的資本支出。三星最高,達到192億美元,英特爾次之,資本支出為162億美元,臺積電第三,也有149億美元。2020年三星在半導體上花了265億美元,臺積電也花了170億,英特爾的數(shù)據(jù)還沒有出來,但前三個季度都比2019年同比下降,三個季度總支出為103．92億美元,不出意外的話,2020年全年資本支出應該在150億美元之內。

2017年之前,這三家在半導體支出上大體接近,2017年三星開始沖刺,但三星投入中包含大量存儲器設備投入,單純邏輯工藝投入上,三星和臺積電并沒有領先英特爾多少。但這兩年來,英特爾工藝開發(fā)遇到難題,時不時傳出英特爾要加大生產(chǎn)外包的消息,如果真的加大外包比例,預示著至少2021年,英特爾資本支出可能會在150億美元以下,從而第一次被臺積電資本支出拉開50億美元以上。

這對英特爾而言是非常危險的信號,先進工藝的競爭一直是淘汰賽,一旦投入跟不上就要被市場淘汰。130納米工藝節(jié)點全球有近30個玩家,到28納米時僅剩10個玩家,其余廠商因為跟不上如此高強度的投資節(jié)奏而放棄先進工藝研究,伴隨格芯(GlobalFoundries)和聯(lián)電(UMC)宣布放棄先進工藝研發(fā),現(xiàn)在愿意在先進工藝上做投入的只有四個廠商,即臺積電、三星、英特爾和中芯國際。

目前來看,主要以IDM模式為主的英特爾,在先進工藝投入上已經(jīng)遇到困難。臺積電和中芯國際是純代工模式,成本可以向多家客戶攤銷,三星除了有龐大的存儲器產(chǎn)線,其代工規(guī)模也僅次于臺積電。英特爾目前只能自己承擔先進工藝研發(fā),如今量產(chǎn)遇阻,無米下鍋,前期投入不能收回,也不敢加大投入只去擴充10納米產(chǎn)能,這就異常窘迫,不投入就可能被拉開差距,但這么高昂的投入始終見不到效果,就算英特爾也吃不消。

從英特爾2020年的資本支出來看,將來找臺積電或者三星進行大規(guī)模外包并非不可能——當然英特爾還會保留相當程度的自產(chǎn)比例,比如超過50%,一旦自產(chǎn)比例過低,那么英特爾將難以維持在先進工藝上的投入,最終在先進工藝上只有走向無晶圓這條路。

先進工藝,終將成為少數(shù)人的游戲。