最近，美光已將其DRAM路線圖從三個單元縮減階段更新為四個階段，從而使每個芯片具有更大的DRAM容量并降低了每GB的成本。根據(jù)規(guī)劃，這家美國芯片制造商打算通過以下步驟逐步縮小單元或工藝節(jié)點的尺寸，從不再主流的20nm節(jié)點工藝尺寸到10nm（19nm-10nm范圍）節(jié)點工藝：
1Xnm –（c19-17nm）較早的DRAM技術(shù)處理節(jié)點大小
1Ynm –（c16-14nm）當(dāng)今主流的DRAM位生產(chǎn)技術(shù)
1Znm –（c13-11mn）2020年第三季度，15%的美國DRAM位生產(chǎn)是在這個工藝完成
1αnm工藝節(jié)點– 1 alpha – 2021年上半年的量產(chǎn)
1βnm工藝節(jié)點– 1 beta –處于早期開發(fā)中
1納米工藝節(jié)點– 1gamma–早期工藝集成
1δnm工藝節(jié)點– 1delta–探索中，可能需要EUV技術(shù)
1 delta節(jié)點的大小是Micron DRAM路線圖中的一個新條目。我們沒有低于1Znm的指示性工藝節(jié)點尺寸。
美光表示，隨著從1Xnm到1Yn和1Znm的轉(zhuǎn)變，位密度的增長速度減慢了。但是，該公司加快了增長率，從1Znm到1αnm工藝節(jié)點尺寸增加了40％。
富國銀行分析師Aaron Rakers表示，美光在1Znm DRAM生產(chǎn)中擁有強大的地位。他引用研究公司DRAMeXchange的數(shù)據(jù)，估計美光在2020年第三季度的1Znm產(chǎn)量占其DRAM位產(chǎn)量的15％，而三星和SK hynix分別為6％和0。
在其他條件相同的情況下，1Znm DRAM的制造成本低于之前的1Ynm節(jié)點。
關(guān)于EUV的看法
美光采用深紫外線（DUV）多圖案光刻技術(shù)在晶圓上布置DRAM單元芯片細(xì)節(jié)。隨著工藝節(jié)點尺寸縮小到10nm單元尺寸水平以下，光束的波長成為一個約束。
ASML是芯片行業(yè)光刻機的主要供應(yīng)商，已開發(fā)出發(fā)出較小波長光的EUV（極端紫外線）光刻機。這項技術(shù)可在晶圓上刻蝕較窄的線條，因此可實現(xiàn)更小的工藝尺寸，即晶圓上的DRAM裸片數(shù)量更多，因此每個晶圓的容量更高，每GB的成本更低。但是資本支出是巨大的。目前ASML每年僅生產(chǎn)30臺EUV光刻機，它們重180噸，每臺成本1.2億美元。
三星在1Znm工藝節(jié)點中就使用EUV，SK hynix計劃使用EUV技術(shù)批量生產(chǎn)1αnmDRAM和1βnmDRAM。美光認(rèn)為EUV直到2023年或更晚才具有成本競爭力，這意味著他們將在1δnm工藝節(jié)點引入EUV。
