最近，FeFET初創者FMC獲得了包括默克，SK Hynix，IMEC，Robert Bosch和Tokyo Electron以及現有的投資者eCapital等公司提供的超過2000萬美元的資金。在這里，我們采訪了該公司的首席執行官Ali Pourkeramati，希望聽到他對新型存儲FeFET未來發展的看法。

　　Pourkeramati首先是贊揚氧化鉿作為鐵電材料的特性，該特性也恰好在晶圓代工廠中廣泛用作現代IC的絕緣層。他聲稱鐵電場效應晶體管（FeFET）是嵌入式閃存的自然替代品，因為后者難以擴展到28nm以上。

　　Pourkeramati指出，與嵌入式閃存不同，FeFET的耐久性在10 ^ 11周期時很高，并且在10 ^ 15周期時有望接近MRAM，并且開關速度小于1ns，開關能量小于1fJ / bit。

　　FeFET通過使用非易失性鐵電特性來移動晶體管閾值電壓來工作。資料來源：FMC。

　　他指出，FeFET的基本開關速度很高，但是在陣列中，它的確取決于字線和位線的負載。我們有一個約10ns的32Mbit內存宏。如果您想更快地閱讀，那么您會變得更小，更分散，因此它具有設計方面的意義，“ Pourkeramati說。

　　邏輯友好的存儲

　　”這是一種邏輯友好的技術，需要兩個或三個非關鍵層。對于邏輯和代工廠來說，這就是天堂。“Pourkeramati補充說。

　　除了具有較高的高溫穩定性，材料的可擴展性和熟悉度外，FeFET似乎也很容易獲得勝利。

　　但是，FMC需要提高一個指標。在他的FE-HfO2的測量和公布特性圖表上，數據保留時間為125°C 1000小時。但他們期望在175°C下可以保持達到10年，但這顯然還有很多工作要做。

　　作為高k介電質的一種改進，鐵電材料同樣適用于環繞柵和納米片或納米帶晶體管。資料來源：FMC。

　　另一個反對意見是，領先的代工廠已經采用MRAM（在意法半導體公司的情況下是相變存儲器）用于28nm及以下的嵌入式存儲器，因此與嵌入式閃存之間的競爭并不激烈。” MRAM需要額外的材料。鐵電存儲器不需要特殊的材料，并且可以按邏輯縮放，因此我們可以使用FinFET，“ Pourkeramati說道。MRAM也容易受到磁場的影響。

　　Pourkeramati強調，鐵電存儲器可以解決用于高速緩存的嵌入式非易失性存儲器，也可以解決用于存儲級存儲器的獨立芯片。FMC還針對3D堆疊形式的內存進行了一些初步的工作。”我們可以擴展到n層，“ Pourkeramati說。它可以用于神經形態應用。”我們為所有應用程序創建了IP [知識產權]。“

　　商業模式探討

　　FMC的業務模式是許可知識產權并按芯片收取專利使用費。為此，該公司將其產品分為三個層次。一種是與工藝有關的IP，例如化學配方；第二個是晶體管器件級別IP;IP的第三層是基于設計或電路的。他說：”我們將這些各種IP池許可給代工廠，無工廠芯片公司和IDM（集成設備制造商）。

　　引入FeFET技術的路線圖。資料來源：FMC

　　Pourkeramati表示，面向消費類應用的首批硅片將于2023年問世，并采用28nm平面CMOS工藝。此后，將向22nm FinFET和/或FDSOI轉移，并在隨后的幾年中出現其他領域。

　　考慮到FMC成立于2016年，現在是2020年，FMC的路線圖似乎有些保守。Pourkeramati說：“這些事情需要時間；開發時間和上市時間。我們認為這是合理和可以接受的。如果您想在FinFET上進行開發，請與我們一起努力盡快通過各個節點。”

　　專利情況

　　值得注意的是，鐵電存儲器已成為學術界的熱門話題，許多大型半導體公司都在討論該技術。如果FMC用氧化鉿和摻鋯的氧化鉿來進行記憶的開拓性工作，是否有可能獲得其他人的好處？

　　Pourkeramati拒絕透露，FMC的專利地位涵蓋了鉿和鋯。

　　這使我們重新思考為什么Pourkeramati會拒絕或推遲一些投資。在創業圈中有一種眾所周知的格言，最好是在不需要風險投資時接受風險投資。因為當您確實需要它時，它將不可用。

　　在2019年加入FMC之前，Pourkeramati之前曾在Impact Capital Partners Inc.擔任管理合伙人，曾從事過風險投資工作，并提出了相反的觀點。他認為，FMC將能夠在未來的時間以更高的估值籌集更多資金。

　　還有其他公司想要投資FMC。同樣，也有晶圓代工廠想投資FMC，但Pourkeramati表示，他擔心與任何一家代工廠保持緊密聯系可能會抑制其他代工廠使用該技術，因此該公司拒絕了。

　　隨著FMC渴望同時進軍多個領域并進行長遠的競爭，這些投資者和其他人無疑將有更多的投資機會，但是FMC需要繼續取得進展，以替代已部署的MRAM。