tify;">意法半導體(ST) 近日推出世界首個嵌入硅基半橋驅動芯片和一對氮化鎵(GaN)晶體管的 MasterGaN? 產品平臺，對于400W以下輕便節能的消費電子、工業充電器以及電源適配器而言，意法半導體提出的這個集成化方案有助于加快開發速度。

GaN技術 使電子設備能夠處理更大功率，同時設備本身變得更小、更輕、更節能，這些改進將會改變用于智能手機的超快充電器和 無線充電器 、用于PC和游戲機的USB-PD緊湊型適配器，以及太陽能儲電系統、不間斷電源或高端OLED電視機和云服務器等工業應用。

在當今的GaN市場上，通常采用分立 功率晶體管 和驅動IC的方案，這要求設計人員必須學習如何讓它們協同工作，實現最佳性能。

意法半導體的MasterGaN方案繞過了這一挑戰，縮短了產品上市時間，并能獲得預期的性能，同時使封裝變得更小、更簡單，電路組件更少，系統可靠性更高。

憑借GaN技術和意法半導體集成產品的優勢，采用新產品的充電器和適配器比普通硅基解決方案縮減尺寸80%，減重70%。

意法半導體執行副總裁、模擬產品分部總經理Matteo Lo Presti表示：“ST獨有的MasterGaN產品平臺是基于我們的經過市場檢驗的專業知識和設計能力，整合高壓智能功率BCD工藝與GaN技術而成，能夠加快節省空間、高能效的環境友好型產品的開發。”

MasterGaN1是意法半導體新產品平臺的首款產品，集成兩個半橋配置的GaN功率晶體管和高低邊驅動芯片。

MasterGaN1現已量產，采用9mm x 9mm GQFN封裝，厚度只有1mm。

意法半導體還提供一個產品評估板，幫助客戶快速啟動電源產品項目。

技術細節:

MasterGaN平臺借用意法半導體的STDRIVE 600V柵極驅動芯片和GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)。9mm x 9mm GQFN薄型封裝保證高功率密度，為高壓應用設計，高低壓焊盤間的爬電距離大于2mm。

該產品系列有多種不同RDS(ON) 的GaN晶體管，并以引腳兼容的半橋產品形式供貨，方便工程師成功升級現有系統，并盡可能少地更改硬件。

在高端的高能效拓撲結構中，例如，帶有源鉗位的反激或正激式變換器、諧振變換器，無橋圖騰柱PFC(功率因數校正器)，以及在 AC/DC 和 DC/DC變換器 和DC/AC逆變器中使用的其它軟開關和硬開關拓撲，GaN晶體管的低導通損耗和無體二極管恢復兩大特性，使產品可以提供卓越的能效和更高的整體性能。

MasterGaN1有兩個時序參數精確匹配的常關晶體管，最大額定電流為10A，導通電阻(RDS(ON)) 為150mΩ。

邏輯輸入引腳兼容3.3V至15V的信號，還配備全面的保護功能，包括高低邊UVLO欠壓保護、互鎖功能、關閉專用引腳和過熱保護。