據(jù)重慶日報報道，目前，重慶郵電大學(xué)實驗室已成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片。

　　重慶郵電大學(xué)光電工程學(xué)院副教授黃義透露，目前，實驗室已成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片，這也是重慶市功率半導(dǎo)體、汽車電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新興方向。

　　據(jù)悉，第三代半導(dǎo)體功率芯片主要應(yīng)用在汽車電子、消費電源、數(shù)據(jù)中心等方面，具備體積小、效率高、用電量少等特點。

　　據(jù)黃義介紹，這款功率半導(dǎo)體芯片電量能節(jié)省10%以上，面積是硅芯片的1/5左右，開關(guān)速度提升10倍以上。目前該項目已經(jīng)到了試驗性應(yīng)用階段，未來有望在各種電源節(jié)能領(lǐng)域和大數(shù)據(jù)中心使用。

　　值得一提的是，由重慶郵電規(guī)劃的“重慶集成電路設(shè)計創(chuàng)新孵化中心”已經(jīng)入駐西部（重慶）科學(xué)城。

　　該中心將著力建設(shè)我市集成電路公共設(shè)計、測試分析、半導(dǎo)體工藝等為一體集成電路中試平臺，提供低成本、高效率的集成電路公共服務(wù)與專業(yè)技術(shù)支持；同時孵化一批人工智能芯片、公共安全專用芯片、化合物半導(dǎo)體芯片等方向的高端科技成果及高科技企業(yè)。