近日，中國的半導體產業在美國制裁的陰霾下頻頻傳出好消息：
中芯國際官宣完成了FinFET N+1先進工藝的芯片流片和測試，所有IP全部是自主國產，很快就能實現7nm芯片的量產；
全球最大光刻機生產巨頭ASML對外宣布，可以從荷蘭向中國出口DUV光刻機，無需美國許可；
華為也正式宣布了Mate40的發布日期為10月22日，華為消費者業務CEO余承東在微博上放出豪言，該機型是“史上最強的華為Mate”。
這一系列“利好”，證明了中國半導體產業鏈的抗壓性越來越強。今年4月，華為旗下手機品牌榮耀的Play 4T機型，就采用了中芯國際14nm工藝制造的麒麟710A。
事實上，高端芯片一直是我國半導體行業的痛點，尤其是7nm和5nm制程工藝的芯片，可以說決定了當前電子設備的科技含量，全球的科技廠商對此需求極大，也是華為手機最受美國掣肘之處。
從芯片代工巨頭臺積電第三季度的財報，也可見一斑。10月15日，臺積電披露了各大芯片制程工藝的營收占比狀況，7nm工藝仍是第一大收入來源，占比為35%，今年一度投產的5nm工藝貢獻了近10億美元，占比8%。此外16nm工藝為18%、20nm工藝為1%、28nm工藝為12%，其他工藝為26%。
在第三季度，臺積電的營收也達到121.4億美元，創下新高。
在臺積電獨領風騷的情況下，中芯國際能夠通過自主研發實現7nm芯片的量產，以及ASML可以繞開美國許可為其供貨，對中國的半導體產業鏈來說，無疑能帶來巨大突破。
一篇題為《“國產芯”突圍刻不容緩》的文章寫道：“芯動科技首個基于中芯國際先進工藝的芯片流片和測試成功，不僅意味著具有自主知識產權的‘國產芯’再次打破國外壟斷，同時也說明‘國產版’的7nm芯片制造技術已經得到突破。”
關于N+1工藝，中芯國際聯合CEO梁孟松今年初曾透露，該工藝在功率和穩定性方面和7nm工藝非常相似，且不需要EUV光刻機，但在性能方面提升還不夠，所以N+1工藝是面向低功耗應用領域的。
福布斯中文網也在今年3月的報道中指出，中芯國際的7nm工藝發展跟臺積電路線差不多，7nm節點一共發展三種工藝，分別是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工藝的N7+。
需要注意的是，目前世界上可以量產7nm芯片的晶圓代工廠商僅臺積電和三星兩家，英特爾10nm產品剛上市不久，7nm芯片可能推遲至2023年。這意味著，中芯有望在制程上趕超英特爾。
創道投資咨詢合伙人步日欣對《21CBR》表示，ASML對中國DUV光刻機供貨一直正常，中芯國際受限的只是最高端的EUV光刻機。雖然EUV光刻機本來根據現有規則，不超過美國25%的技術，可以向中國供貨，但是受美國的阻撓，一直沒有恢復。EUV光刻機不能及時到貨，是制約中芯國際向高級線程工藝進展的瓶頸。
“雖然消息稱，在現有光刻機基礎上，中芯國際已經實現了媲美7nm工藝的N+1工藝，但從芯片效能和制造成本等角度看，與更高級光刻機實現效果不可避免會有一定差距。中芯國際真正要實現質的突破，還需要更高級的光刻機助力。”步日欣認為，中芯國際5nm明年商用也不太可能。
國海證券10月14日的報告指出，自中芯國際證實被美國列入投資管制清單，國內半導體產業波動加大，中長期看國內半導體全面國產替代勢在必行，給予行業“推薦”評級。
中航證券分析師表示，應對美國從產業鏈和資本運作雙方面施壓、進一步遏制其自造芯片能力的手段，一方面，我國企業為不斷提高上游產品庫存，另一方面投入更多科研力量，填補我國半導體產業鏈空白。
長期來看，擺脫對國外產品的依賴，符合我國產業鏈轉型的發展需求，美國遏制中國半導體產業鏈的發展也在反向促進我國國產替代的不斷發展。
近日發布的《廣東省培育半導體及集成電路戰略性新興產業集群行動計劃（2021-2025年）》，提出了5項重點任務和8項重點工程：到2025年，半導體及集成電路產業的年主營業務收入突破4000億元，年均增長超過20%。
過去數十年，全球半導體行業一直遵循螺旋式上升的規律，重大技術變革是推動行業持續增長的內在動力。不管是華為禁令還是中芯事件，都不會改變半導體產業的長期發展趨勢，半導體仍是未來3-5年科技投資主線。
當下，在產業趨勢向好、政策資金支持、國產替代提速等核心因素并未發生改變的情況下，半導體細分領域的核心公司也正在全面開花。
在二級市場方面，芯片股年內整體表現較好，但9月以來普遍回調，這與美國的打壓有一定關系。
數據寶統計顯示，9月以來跑贏大盤且獲北上資金加倉，股價上漲空間超10%的芯片股僅有12只，包括市值超千億的中興通訊、超850億的兆易創新等。
10月16日，中芯國際發出公告，將三季度的收入環比增長指引由原先的1%至3%上調為14%至16%，毛利率指引由原先的19%至21%上調為23%至25%。當天，中芯國際（0981.HK）收于19.96港元，相較于9月底的股價，上漲約12.8%。