摩爾定律是一項經驗建議，它表明，集成電路（IC）中的晶體管數量每隔幾年就會翻一番。但是，由于晶體管越來越小，以至于當前的基于硅的技術無法提供進一步縮小晶體管的機會，因此摩爾定律已開始失效。

　　為了延續摩爾定律，其中一種可能性是求助于二維半導體。這些二維材料非常薄，以至于它們可以允許自由電荷載流子（即電子和載有信息的晶體管中的空穴）沿著超薄平面傳播。電荷載流子的這種限制可能潛在地允許非常容易地開關半導體。它還允許電荷載流子的方向路徑移動而不會發生散射，因此導致晶體管的電阻無限小。

　　這意味著從理論上講，二維材料可是的晶體管在其通/斷切換期間不會浪費能源。從理論上講，它們可以非常快速地切換，并且在非操作狀態下也可以關閉到絕對零電阻值。聽起來很理想，但生活并不理想！實際上，創建如此完美的超薄半導體仍然存在許多技術障礙。當前技術的障礙之一是所沉積的超薄膜充滿晶界（deposited ultra-thin films are full of grain boundaries），從而使電荷載流子從其反彈回來，造成電阻損耗增加。

　　最令人興奮的超薄半導體之一是二硫化鉬（MoS 2），在過去的二十年中，二硫化鉬的電子性能一直受到研究。然而，事實證明，獲得沒有任何晶粒邊界（grain boundaries）的超大型二維MoS 2確實是一項挑戰。使用任何當前的大規模沉積技術，都已經達到了可接受的成熟度，而無晶界（grain-boundary-free）的MoS 2對制造IC至關重要。然而，現在，新南威爾士大學化學工程學院（UNSW）的研究人員已經開發了一種基于新沉積方法消除這種晶界的方法。

　　“這種獨特的功能是在液態金屬鎵的幫助下實現的。鎵是一種令人驚奇的金屬，其熔點僅為29.8攝氏度。這意味著在正常的辦公室溫度下它是固體，而放置在某人的手掌上時，它變成一種液體。它是一種易熔化的金屬，因此它的原子表面光滑。它也是一種常規金屬，這意味著它的表面提供了大量的自由電子，以促進化學反應，”該論文的第一作者王一芳女士說。

　　“通過將鉬和硫的源極（sources）帶到鎵液態金屬的表面附近，我們能夠實現形成鉬硫鍵的化學反應，從而建立所需的MoS 2。形成的二維材料被模板化（templated）到原子光滑的鎵表面上，因此它是自然成核的，并且沒有晶界。這意味著通過第二步退火，我們能夠獲得非常大的MoS 2區域，而沒有晶界，這對于擴大這種引人入勝的超細晶的光滑的半導體非常重要。”

　　新南威爾士大學的研究人員現在正計劃將其方法擴展到制造其他二維半導體和介電材料，以便制造出許多可用作晶體管不同部分的材料。