隨著5G、電動(dòng)車等新應(yīng)用興起，氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等第三代半導(dǎo)體后市看好，臺(tái)廠在晶圓代工龍頭臺(tái)積電領(lǐng)頭下積極卡位，包括世界先進(jìn)、漢磊、嘉晶、茂矽等也搶進(jìn)未來每年高達(dá)10億美元的新世代半導(dǎo)體材料應(yīng)用商機(jī)。

　　據(jù)研究機(jī)構(gòu)IHS與Yole預(yù)測，碳化硅晶圓的全球電力與功率半導(dǎo)體市場產(chǎn)值，將從去年13億美元擴(kuò)增至2025年的52億美元，龐大商機(jī)也讓許多IDM、硅晶圓與晶圓代工廠爭相擴(kuò)大布局。

　　據(jù)悉，臺(tái)積電已小量提供6吋硅基氮化鎵（GaN-on-Si）晶圓代工服務(wù)，650伏特和100伏特氮化鎵積體電路技術(shù)平臺(tái)預(yù)計(jì)今年開發(fā)完成；今年初，臺(tái)積電也宣布結(jié)盟意法半導(dǎo)體，意法半導(dǎo)體將采用臺(tái)積電的氮化鎵制程技術(shù)生產(chǎn)氮化鎵產(chǎn)品，加速先進(jìn)功率氮化鎵解決方案開發(fā)與上市，攜手搶攻電動(dòng)車市場商機(jī)。

　　臺(tái)積電總裁魏哲家日前公開指出，氮化鎵擁有高效能、高電壓等特性，該公司在氮化鎵制程技術(shù)進(jìn)展不錯(cuò)，符合客戶要求，雖然目前還小量生產(chǎn)，他看好未來氮化鎵應(yīng)用前景，預(yù)期將會(huì)廣泛且大量被使用。

　　至于臺(tái)積電轉(zhuǎn)投資的世界先進(jìn)，在氮化鎵領(lǐng)域也投資研發(fā)多年，預(yù)計(jì)今年底前送樣給客戶進(jìn)行產(chǎn)品驗(yàn)證，初期供應(yīng)電源相關(guān)應(yīng)用產(chǎn)品；世界先進(jìn)與設(shè)備材料廠Kyma及轉(zhuǎn)投資氮化鎵硅基板廠Qromis攜手合作，著眼開發(fā)可做到8吋的新基底高功率氮化鎵技術(shù)GaN-on-QST，今年底前送樣客戶做產(chǎn)品驗(yàn)證，瞄準(zhǔn)電源應(yīng)用。

　　不僅臺(tái)積電與世界先進(jìn)積極投入，漢磊、嘉晶、茂矽等中小型業(yè)者也在既有技術(shù)利基下，揮軍第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。

　　漢磊SiC 6吋產(chǎn)能已在試產(chǎn)，客戶端以電動(dòng)車需求最大，其他也有資料中心客戶，漢磊日前表示，隨下半年驗(yàn)證結(jié)果陸續(xù)出爐，明年對出貨量、營收貢獻(xiàn)有望逐步墊高。至于嘉晶，GaN on Si已完成650V磊晶平臺(tái)開發(fā)，并開發(fā)GaN on SiC及GaN on Si磊晶應(yīng)用于射頻（RF）的產(chǎn)品，GaN on SiC預(yù)計(jì)年底驗(yàn)證完成，GaN on Si則于明年驗(yàn)證完成。

　　茂矽方面，開始逐步導(dǎo)入絕緣閘雙極電晶體（IGBT）、矽基氮化鎵（GaN-on-Si）等制程，可望搶下消費(fèi)性市場訂單。