“中國半導體材料與國外的差距已不是那么大，我很樂觀地相信可以追得上。”在近日由中信建投證券與金沙江資本聯(lián)合主辦的“中國第三代半導體發(fā)展機遇交流峰會”上，鮮少露面的中芯國際創(chuàng)始人、原CEO張汝京發(fā)聲。
他的自信來自于第三代半導體的發(fā)展機遇：未來，新能源汽車、5G通信、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域都將規(guī)模應用第三代半導體，隨著中國在高科技領(lǐng)域的領(lǐng)跑，第三代半導體發(fā)展可以“換道超車”。
此次峰會上，還包括金沙江資本創(chuàng)始人及董事局主席伍伸俊、資產(chǎn)管理公司TPG（德太投資）中國區(qū)管理合伙人孫強、瑞信集團董事會成員李山等，就如何發(fā)展第三代半導體開展頭腦風暴。
5G、新能源都離不開第三代半導體
何謂第三代半導體？半導體發(fā)展至今已經(jīng)歷三個發(fā)展階段：第一階段是以硅（Si）、鍺（Ge）為代表的第一代半導體原料；第二階段是以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三階段是以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、硒化鋅（ZnSe）等寬帶半導體原料為主。
“5G領(lǐng)域常常會用到第三代半導體，比如很多高頻芯片用的材料是氮化鎵，耐高壓、耐高溫；此外，無人駕駛汽車、新能源等領(lǐng)域也常常用到碳化硅，也屬于第三代半導體。”張汝京說，中國在5G技術(shù)上保持領(lǐng)先，并在通信、人工智能、云端服務等領(lǐng)域超前發(fā)展，這些高科技的應用都將推動第三代半導體發(fā)展。
伍伸俊也舉例說，5G射頻芯片必須用到第三代半導體，僅快充芯片在中國市場就非常龐大，整體看，隨著中國在5G、電動汽車、超高壓、特高壓電網(wǎng)等領(lǐng)域布局走在前列，龐大的需求催生。
“第三代半導體跑道是敞開的，很難說哪家能夠壟斷行業(yè)。目前領(lǐng)跑者包括英飛凌、羅姆、Transphorm等，而中國勝在市場需求比較大。”伍伸俊說，如果能夠組織好國際領(lǐng)先的設(shè)計團隊、有規(guī)模的第三代芯片廠，就有希望推出更高水平的產(chǎn)品服務全球客戶。
最關(guān)鍵是人才，投資半導體需耐心
一直以來，半導體產(chǎn)業(yè)一直是資金、技術(shù)、人才密集型產(chǎn)業(yè)，但張汝京強調(diào)，第三代半導體的投資并不大，關(guān)鍵還是人才。
伍伸俊也認為，在第三代半導體這個“新賽道”，從事半導體行業(yè)的工程師非常多，中國人才優(yōu)勢非常明顯，“三星的崛起就是一個生動的案例：在小小的市場通過聚焦投入，加上國家政策支持和幾代人努力，最終在半導體領(lǐng)域超過了領(lǐng)先的日本”。
市場因素也非常關(guān)鍵，伍伸俊舉例說，二十多年前，日本半導體產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷“廣場協(xié)議”后節(jié)節(jié)敗退，很重要原因是市場容量較小，而如今國內(nèi)可以憑借廣闊的市場，尤其是龍頭企業(yè)的帶動，將推動第三代半導體快速成長。
“工序也相對簡單，不少設(shè)備并不需要7nm、5nm光刻機，0.8微米的也能用上，而且不少設(shè)備可以國產(chǎn)化，需要考慮的是如何把SiC、GaN等原材料做到外延可靠性好、質(zhì)量好、良率高、成本低。”伍伸俊說。
李山則關(guān)注到，半導體的投資投入大、回報時間長導致PE、VC望而卻步，目前在半導體領(lǐng)域政府投入資金較多，如何把市場和政府兩個優(yōu)勢相結(jié)合，在風險上進行互補。
“投資確實有這個問題，一級市場和二級市場是掛鉤的，一般人投資的時候都看二級市場怎么樣，做一個可比公司分析。就好比過去是很多互聯(lián)網(wǎng)公司、電商公司和醫(yī)療公司迅速成長起來，再反過來推基礎(chǔ)研發(fā)公司成長。”孫強說，半導體行業(yè)投資需要耐心、膽量、眼光，資本整體比較浮躁，“短平快”模式無法在半導體行業(yè)做起來。
IDM模式或重返主流，全產(chǎn)業(yè)布局更有效率
“要想超車應該找合適的跑道去超”，在此次峰會上，以新的模式發(fā)展第三代半導體也成為關(guān)注焦點。
李山認為，要抓住半導體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域出現(xiàn)的商業(yè)模式與產(chǎn)業(yè)分工機遇。此前，半導體企業(yè)多從北方電信、愛立信等大企業(yè)內(nèi)部成長出來，但隨著分工專業(yè)化，設(shè)計、封裝、代工逐步分開。
目前，半導體產(chǎn)業(yè)主要分為兩種模式：一是從設(shè)計一直做到制造和封裝的IDM模式，以英特爾、三星為代表；另一種是垂直分工模式，只設(shè)計或者只生產(chǎn)（Fabless或Foundry），前者以華為海思、高通、聯(lián)發(fā)科為代表，后者以臺積電、中芯國際為代表。
“分久必合，合久必分，現(xiàn)在由于技術(shù)本身變化和市場機會，我們在每一個環(huán)節(jié)上受限，這種情況下中國第三代半導體可能會采用IDM模式。”李山說。
張汝京也認為，第三代半導體是“后摩爾定律時代”，線寬不是很小，設(shè)備不特別貴，芯片設(shè)計、資本投資都占優(yōu)勢的情況下，唯有材料突破不易，這正是IDM模式的優(yōu)勢。
他舉例說，第三代半導體中碳化硅為例，新能源車中應用較多，特斯拉Model 3已開始使用。這些功率模組主要由意法半導體、英飛凌兩家供應，而這兩家基本上都是IDM公司，看起來第三代半導體中較大公司都是IDM公司，產(chǎn)業(yè)鏈從頭到尾是一家公司負責，做出來效率較高。
“IDM模式將是第三代半導體發(fā)展主流。”他判斷。而張汝今也認為，三星在發(fā)展第三代半導體方面獨具優(yōu)勢，它可從技術(shù)、開發(fā)材料、設(shè)備等全產(chǎn)業(yè)“一腳踢”。