全球最大許可公司Xperi和以色列芯片巨頭高塔半導體（Tower Semiconductor），于6月10日共同宣布高塔半導體獲得Invensas ZiBond和DBI3D半導體互聯技術許可。這項技術將補充后者在BSI圖像傳感器，工業全球快門及300mm和200mm晶圓CMOS圖像傳感器上的一些不足。此外，高塔半導體也將借助Invensas拓展3D集成技術的應用領域，包括存儲器和MEMS設備。

    高塔半導體高級副總裁及傳感器業務部門經理Avi Strum表示，“高塔半導體正處于快速擴張中，Xperi在直接和混合鍵合技術上的領先地位能夠使我們更好地支持公司客戶群快速發展的需求。3D堆疊架構和集成是我們為客戶提供高價值、經過驗證的模擬半導體解決方案的戰略核心，包括為汽車、工業和高端攝影應用程序提供事件驅動型和飛行時間（ToF）傳感器。”

    隨著高塔半導體最近發布完整的混合鍵合設計包，公司客戶現在可以在兩個不同的晶圓上開發他們的產品—成像晶片和混合信號CMOS晶片，這二者可以與電子連接一起堆疊，像素尺寸能夠從直接飛行時間和事件驅動型傳感器可采用的10um降至2.5um甚至更低，通常被應用于人臉識別程序中的移動ToF。由于成像晶片那一面的照度和極低暗電流，這種分離于兩個晶圓的技術大大提升了CMOS電路的工作速度，也使其具有非常高的靈敏度像素。高塔的獨特平臺對于厚度不同的被用于增強近紅外靈敏度的外延片兼容性也更大。

    Xperi全資子公司Invensas總裁Craig Mitchell說：“我們相信高塔半導體會繼續加強其作為全球產業領先者，以及一個值得信賴的合作伙伴形象。我們的ZiBond和DBI技術支持各種設備的制造。我們也很高興能與高塔半導體合作，能夠將我們的基礎3D集成技術部署到一系列新型傳感器中，特別是飛行時間傳感器，我們預計這些傳感器將越來越多地被應用于汽車和其他工業應用中。”

    3D半導體由于更小、更薄、性能更高，有望在汽車、工業、物聯網、邊緣計算和消費設備市場掀起一波新的應用浪潮。而Invensas已經在半導體封裝和互連技術方面取得了根本性的進展，這些技術是制造3D堆疊芯片所必需的，以滿足對尺寸和性能的要求。