電子器件向著小型化方向發展，GaN解決方案提供的高功率密度使器件尺寸變得更小，從而簡化了設計過程中的布局并減少了損耗。寬帶隙甚至可以在高溫下運行。 GaN器件還可以以比其硅等效器件更高的頻率工作，移動速度最高可快10倍。
英飛凌的總體戰略是將當今的每一項尖端硅技術與寬帶技術相集成。英飛凌基于已經在市場上推出的CoolSiC?技術，推出了新的CoolGaN?解決方案，這些解決方案完善了CoolMOS?產品組合的超級器件。 CoolGaN可確保高效率并降低功率轉換器的重量。 CoolGaN可使輸出功率加倍，在相同的空間內提供更高的效率。 CoolGaN晶體管中RDS(ON)的溫度系數明顯低于硅晶體管，這驗證了Infineon所說的關于傳導損耗的合理效率。
CoolGaN系列中使用的技術適用于單個封裝中的多芯片解決方案，并且與等效解決方案相比，可提供更直接，更便宜的半橋拓撲。
CoolGaN器件簡化了PFC(功率因數校正)的半橋拓撲，包括消除了無效的輸入矯直橋。
600V CoolGaN系列CoolGaN器件的制造符合合格的工藝規范，該規范遠遠超出了硅功率器件的標準，并且針對電信，數據通信和SMPS服務器應用以及許多工業和消費類應用進行了優化。
在電源大會上，我們采訪了英飛凌GaN市場與應用高級總監Tim McDonald。 Infineon Technologies AG是半導體解決方案的全球領導者，這些解決方案使生活更輕松，更安全，更綠色。英飛凌的半導體和系統解決方案為美好的未來做出了貢獻-使我們的世界更輕松，更安全，更綠色。以上就是新型電源解決方案CoolGaN，相信能給大家帶來一定的幫助。
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