IC Insights的2020年版《McClean報告》（于1月發(fā)布）顯示了在過去的50年中，DRAM，閃存，微處理器和圖形處理器如何跟蹤Moore預測的曲線。

過去的10到15年中，諸如功耗和與微縮限制相關的挑戰(zhàn)等因素已經影響了某些IC產品的晶體管增長率。例如，在2000年代初期，DRAM晶體管的數(shù)量以每年約45％的平均速度增長，但在2016年出現(xiàn)的16Gb代次中，其速度下降到約20％。一年前，三星開始批量生產12Gb DRAM和8Gb芯片。JEDEC仍在最終確定的DDR5標準包括單片24Gb，32Gb和64Gb設備。

到2012年左右，閃存密度的年增長率一直保持在55％－60％，但此后一直保持在每年30％－35％。對于傳統(tǒng)的2D平面NAND閃存，2020年1月可用的單個芯片的最高密度為128Gb。對于96層四級單元（QLC）器件，目前3D NAND芯片的最大密度為1．33Tb。QLC與新的96層技術相結合將使3D NAND在2020年達到1．5Tb密度，而128層技術將催生2Tb芯片。

截止到2010年，英特爾PC處理器中的晶體管數(shù)量每年以大約40％的速度增長，但是在隨后的幾年中，這一比例下降到一半。該公司服務器MPU的晶體管數(shù)量增加在2000年代中期至后期暫停，但隨后又開始以每年約25％的速度增長。英特爾在2017年停止透露晶體管數(shù)量的詳細信息。
自2013年以來，用于iPhone和iPad的Apple A系列應用處理器的晶體管數(shù)量以每年43％的速度增長。該比率包括A13處理器及其最新的85億個晶體管，這是最新的指標。預計在2020年上半年，蘋果將推出基于新A13X處理器的iPad Pro。

Nvidia的高端GPU的晶體管數(shù)量非常多。與微處理器不同，GPU及其高度并行的結構不包含大量的緩存。Nvidia的一些最新GPU是專門為AI和機器學習設計的神經網絡處理單元（NPU）。 永遠不要低估IC行業(yè)創(chuàng)新突破技術障礙的強大動力，但是關于IC設計和制造的方式正在發(fā)生一些非常戲劇性的變化。盡管阻礙下一代發(fā)展的某些障礙看起來像是高墻，而不是一般的障礙，但摩爾定律仍然在整個集成電路行業(yè)中占有一席之地。