HBM2E堆疊了八個16Gb DRAM芯片，以實現16GB的封裝容量，并確保3.2Gbps的穩定數據傳輸速度。全球先進存儲器技術的領導者三星電子宣布，其第三代高帶寬存儲器2E（HBM2E）進入市場“ Flashbolt”。新型16 GB（GB）HBM2E特別適用于最大化高性能計算（HPC）系統，并幫助系統制造商及時改進其超級計算機，AI驅動的數據分析和最新的圖形系統。

三星內存銷售與市場營銷執行副總裁Cheol Choi表示：“隨著當今市場上性能最高的DRAM的推出，我們正在邁出關鍵的一步，以增強我們在快速增長的高端內存市場中作為領先創新者的作用?！彪娮赢a品?！半S著我們鞏固在全球存儲器市場的優勢，三星將繼續履行其帶來真正差異化解決方案的承諾?！?/p>

新型Flashbolt準備提供前一代8GB HBM2“ Aquabolt”容量的兩倍，還可以顯著提高性能和電源效率，從而顯著改善下一代計算系統。通過在緩沖芯片頂部垂直堆疊八層10nm級（1y）16千兆位（Gb）DRAM裸片來實現16GB的容量。然后，該HBM2E封裝以40,000多個“直通硅通孔”（TSV）微型凸塊的精確排列進行互連，每個16Gb裸片均包含5,600多個此類微小孔。

三星的Flashbolt通過利用專有的優化電路設計進行信號傳輸，提供了每秒3.2吉比特（Gbps）的高度可靠的數據傳輸速度，同時每個堆棧提供410GB / s的內存帶寬。三星的HBM2E還可以達到4.2Gbps的傳輸速度，這是迄今為止最大的測試數據速率，在某些將來的應用中，每個堆棧的帶寬高達538GB / s。這將比Aquabolt的307GB /秒提高1.75倍。

三星預計將在今年上半年開始量產。該公司將繼續提供其第二代Aquabolt產品陣容，同時擴展其第三代Flashbolt產品，并將在整個高端存儲器市場加速向HBM解決方案的過渡時，進一步加強與下一代系統中生態系統合作伙伴的合作。