（圖源：Nexperia官網(wǎng)）

　　據(jù)外媒報(bào)道，功率和分立器件專(zhuān)家Nexperia采用硅基氮化鎵（GaN-on-Silicon）技術(shù)，推出第一款大功率GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

　　Nexperia公司MOS分立式器件業(yè)務(wù)集團(tuán)總經(jīng)理Toni Versluijs表示：“Nexperia準(zhǔn)備進(jìn)軍高壓領(lǐng)域，因此推出這一戰(zhàn)略舉措。現(xiàn)在，我們能夠提供適用于電動(dòng)汽車(chē)（xEV）功率半導(dǎo)體應(yīng)用的技術(shù)。我們的GaN技術(shù)已經(jīng)可以量產(chǎn)，滿(mǎn)足大批量應(yīng)用。汽車(chē)行業(yè)是Nexperia關(guān)注的重點(diǎn)領(lǐng)域，隨著電動(dòng)汽車(chē)取代傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)汽車(chē)，成為個(gè)人和公共交通的首選工具，預(yù)計(jì)未來(lái)20年該行業(yè)將顯著增長(zhǎng)。”

　　該工藝在大型硅襯底上生成GaN厚外延層，并獲得合適的外延性能，因此，可以利用標(biāo)準(zhǔn)的150mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，進(jìn)行初級(jí)生產(chǎn)，具有批量生產(chǎn)所需的可擴(kuò)展性，以及成本優(yōu)勢(shì)。

　　650V GAN063-650WSA的柵極電壓為±20V，工作溫度在-55至+175°C之間。產(chǎn)品特色在于，導(dǎo)通電阻低至60 m?，可以減少損耗，支持頻率切換，提高電源效率。重要的是，該產(chǎn)品采用業(yè)內(nèi)常用的標(biāo)準(zhǔn)TO-247封裝，更便于設(shè)計(jì)者操作，提升產(chǎn)品性能。

　　GAN063-650WSA GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管是Nexperia旗下GaN系列設(shè)備首款產(chǎn)品，適用于汽車(chē)、通信基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)領(lǐng)域。