早在8月22日的時(shí)候，滿天芯就曾報(bào)道了一篇《三星代工出問(wèn)題，高通7nm制程的5G芯片全部報(bào)廢？》的文章，當(dāng)時(shí)講的是，由三星代工的高通5G芯片驍龍SDM7250，因?yàn)?nm EVU工藝出現(xiàn)問(wèn)題導(dǎo)致良率不過(guò)關(guān)而全數(shù)報(bào)廢。

雖然三星和高通后面出來(lái)否認(rèn)了，但含糊其辭的說(shuō)法也可能是間接承認(rèn)了這個(gè)事故。事實(shí)也證明，在晶圓代工這個(gè)領(lǐng)域，三星還要很長(zhǎng)一段時(shí)間繼續(xù)當(dāng)大老二。

這不，三星晶圓代工廠的負(fù)面消息又來(lái)了。據(jù)韓國(guó)媒體BusinessKorea8日?qǐng)?bào)道。三星韓國(guó)器興（Giheung）廠，因?yàn)?寸晶圓生產(chǎn)線采用了受到污染的設(shè)備，導(dǎo)致產(chǎn)品有缺陷。三星的一名高層承認(rèn)了這一消息，并表示制程已經(jīng)修復(fù)正常，損失估計(jì)達(dá)數(shù)十億韓元。

不過(guò)，有專家表示，這次損失的規(guī)模或遠(yuǎn)大于三星的預(yù)估。一位業(yè)內(nèi)人士表示：“我知道三星還沒(méi)有計(jì)算出確切的損失額。” “損失可能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)公司的估計(jì)。”

在今年稍早的時(shí)候，也曾曝出過(guò)三星第一代10nm（1x nm）DRAM產(chǎn)品出現(xiàn)問(wèn)題的消息。這次再傳出晶圓代工業(yè)務(wù)有瑕疵，怕是對(duì)三星在業(yè)內(nèi)的信譽(yù)也會(huì)有一定的影響，更何況三星正在大力投資晶圓代工事業(yè)。

據(jù)市場(chǎng)研究公司IC insights報(bào)道，從2017年至今，三星在半導(dǎo)體領(lǐng)域的資本支出估計(jì)為658億美元，比英特爾高了約53％，比中國(guó)所有半導(dǎo)體公司資本支出總和高出一倍以上。

三星最近也宣布，今年第四季度的大部分投資將用于存儲(chǔ)領(lǐng)域的基礎(chǔ)設(shè)施中，EUV 7nm產(chǎn)量將繼續(xù)增加，加強(qiáng)自身晶圓代工的競(jìng)爭(zhēng)力。10月中旬的時(shí)候，還傳出了三星的一份意向書，表示要向ASML訂購(gòu)15臺(tái)EUV設(shè)備，總價(jià)值180億元。

為了超越晶圓代工龍頭臺(tái)積電，三星在花錢這方面絲毫不心痛。從兩家企業(yè)的資本支出比較上來(lái)看，三星的態(tài)度非常的認(rèn)真。

雖然三星在晶圓代工領(lǐng)域進(jìn)行了大量投資，但多次事故發(fā)生后，必然會(huì)削弱三星的可靠性。至于會(huì)不會(huì)影響三星在2030年以前一統(tǒng)全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的目標(biāo)，筆者覺(jué)得并不一定，這些事故或許都在計(jì)劃之內(nèi)。

（三星電子在今年曾宣布，至2030年以前，在包括代工服務(wù)在內(nèi)的其邏輯芯片（主要指CPU、GPU等計(jì)算芯片）業(yè)務(wù)上投資133兆韓元 （約8000億人民幣 ），以期超越臺(tái)積電，成為全球第一大芯片代工廠，并維持對(duì)英特爾的領(lǐng)先，坐穩(wěn)全球第一大半導(dǎo)體廠商的寶座。并且在CMOS等領(lǐng)域做到世界第一。）

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