日前，第三屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳舉行。與會專家學者認為，第三代半導體未來應用潛力巨大，具備變革性的突破力量，是半導體以及下游電力電子、通訊等行業新一輪變革的突破口。

2018年，美國、歐盟等持續加大第三代半導體領域研發支持力度，國際廠商積極、務實推進，商業化的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）電力電子器件新品不斷推出，性能日益提升，應用逐漸廣泛。受益于整個半導體行業宏觀政策利好、資本市場追捧、地方積極推進、企業廣泛進入等積極因素，國內第三代半導體產業穩步發展。但是，在材料指標、器件性能等方面與國外先進水平仍存在一定差距，國產化需求迫切。

“無論是從模塊安全，還是從中國經濟發展形勢看，第三代半導體都擁有巨大發展空間和良好市場前景，催生了上萬億元的潛在市場。”深圳市科學技術協會黨組書記林祥認為，第三代半導體是全球半導體產業技術創新和產業發展熱點，為信息、能源、交通模塊等戰略性新興產業發展提供了重要支撐。近年來，隨著材料、器件、工藝和應用方面一系列技術創新和突破，第三代半導體走到了從研發到產業的拐點上。

“只要有用電的地方就會用到半導體。”國家新能源汽車技術創新中心車規半導體業務負責人文宇指出，發展新能源汽車是我國汽車產業轉型的必由之路，同時還將構建汽車新的產業生態鏈。未來，汽車半導體將成為全球半導體市場最大驅動力。其中，碳化硅在新能源汽車領域的應用前景隨著技術發展將得到很大的提升。

“碳化硅的各種特性都比硅要好，做成器件有高頻、高效、高溫優勢，未來會在白色家電、軌道交通、醫療設備等領域得到廣泛應用。”深圳基本半導體有限公司總經理和巍巍介紹說，相關數據顯示，2018年整個碳化硅功率器件的市場容量為5億美元，未來市場容量年化復合增長率將超過30％。就國內碳化硅發展現狀來看，在第三代半導體材料方面一直緊跟國際前沿，可提供襯底和外延產業化。在汽車應用領域設計和制造方面，我國與國際先進水平還有一定差距，有幾所大學可以制造器件樣品、三四家公司可以量產二極管，但目前只有基本半導體可以量產碳化硅MOSFET，希望鑄造碳化硅的中國“芯”。