隨著NAND Flash價(jià)格的連續(xù)走低，為了防止過(guò)量的NAND閃存供應(yīng)導(dǎo)致市場(chǎng)崩潰，三大NAND生產(chǎn)廠商、Intel、美光以及SK海力士已經(jīng)共同宣布將采取手段遏制供大于求的現(xiàn)狀，具體來(lái)講就是全方位的減緩生產(chǎn)速度——少切點(diǎn)晶圓，慢建新產(chǎn)線。下半年開(kāi)始NAND Flash價(jià)格明顯止跌，近期三星、SK海力士、美光等原廠又再次掀起了新一輪的軍備競(jìng)賽，一些新的工廠開(kāi)始正式納入規(guī)劃或者即將投入運(yùn)營(yíng)，這將給NAND Flash產(chǎn)業(yè)帶來(lái)什么變化？又是否是中國(guó)的機(jī)遇？
三星
2014年三星在西安建設(shè)工廠量產(chǎn)了第一代V－NAND ，2018年開(kāi)始，三星在西安持續(xù)投資興建二期項(xiàng)目，根據(jù)建廠進(jìn)度，該工廠預(yù)計(jì)在2019年底建設(shè)完工后，設(shè)備將搬入并開(kāi)始量產(chǎn)。
如今有消息稱(chēng)，三星西安二期工廠已安裝部分設(shè)備并開(kāi)始試運(yùn)行，以檢查量產(chǎn)前的情況，預(yù)計(jì)將在2020年2月開(kāi)始批量生產(chǎn)。三星除了西安二期工廠，位于平澤工廠不遠(yuǎn)處所新建的P2 Project建設(shè)也基本完成，已進(jìn)行了少量的設(shè)備投資。
三星新工廠選擇在2020年投產(chǎn)，除了有助于緩解當(dāng)前市場(chǎng)供過(guò)于求的市況外，2020年5G手機(jī)將掀起一波換機(jī)需求，而中國(guó)是重要的市場(chǎng)，同時(shí)對(duì)大容量NAND Flash需求也會(huì)增加，在貿(mào)易緊張的關(guān)系下，三星加大在中國(guó)新工廠的投資，將可更好的滿足中國(guó)市場(chǎng)需求。
SK海力士
SK海力士在清州興建的M15工廠已經(jīng)開(kāi)始投產(chǎn)，M15工廠是為了生產(chǎn)堆疊72層與堆疊96層3D NAND，以提高SK海力士在NANDFlash市場(chǎng)主控權(quán)。在M15之后，M16工廠也被提上日程，該工廠于去年年底開(kāi)建，計(jì)劃20202年完工，M16工廠將用上最先進(jìn)的EUV光刻工藝。
在技術(shù)方面，6 月 26 日，SK 海力士宣布已成功開(kāi)發(fā)世界上第一款“128 層1Tb 的 4D NAND 閃存”，即將投入量產(chǎn)。該技術(shù)的突破為 SK 海力士未來(lái)在企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)（SSD）、5G 移動(dòng)通信智能手機(jī)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)提供了保障，能夠及時(shí)為客戶提供多種解決方案。
美光
美光自去年開(kāi)始擴(kuò)建新加坡的Fab 10工廠，旨在進(jìn)行新的3D NAND工藝節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)換，并且保持和現(xiàn)在一樣的晶圓產(chǎn)量，今年8月，美光新加坡Fab 10A新工廠完成。此前美光在新加坡已有兩座工廠，分別名為Fab 10N和Fab 10X，主要生產(chǎn)NANDFlash晶圓，這兩個(gè)工廠的Wafer產(chǎn)出大約占美光整體NANDFlash一半的產(chǎn)能。
在技術(shù)方面，根據(jù)最新消息，美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片，新一代產(chǎn)品基于美光全新研發(fā)的替代柵極架構(gòu)，將于明年開(kāi)始小范圍量產(chǎn)。美光集團(tuán)CEO表示，目前已經(jīng)成功完成替代柵極架構(gòu)的3D NAND芯片的首次流片，這一里程碑的進(jìn)展降低了產(chǎn)品技術(shù)向下一代技術(shù)過(guò)渡的風(fēng)險(xiǎn)，并且強(qiáng)調(diào)首代替代柵極架構(gòu)將被應(yīng)用在128層NAND產(chǎn)品上，先期會(huì)被應(yīng)用到特定的產(chǎn)品線。
東芝
今年對(duì)于東芝來(lái)說(shuō)是特殊的一年，從10月開(kāi)始，東芝存儲(chǔ)將更名為“Kioxia”，中文名為“鎧俠”， 改名后的東芝近日宣布與西數(shù)共同投資的日本巖手縣K1工廠將于2020年上半年開(kāi)始生產(chǎn)。
據(jù)了解，K1工廠將生產(chǎn)3D閃存，以支持?jǐn)?shù)據(jù)中心、智能手機(jī)和自動(dòng)駕駛汽車(chē)等應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求。東芝和西數(shù)兩家公司對(duì)K1工廠的設(shè)備進(jìn)行聯(lián)合資本投資，使得該工廠可以在2020年開(kāi)始進(jìn)行96層3D閃存的初始生產(chǎn)。此外，東芝還打算在四日市投資興建Fab 7工廠，該工廠計(jì)劃2020年動(dòng)工，2022年投入生產(chǎn)，新工廠建成后，東芝將會(huì)有8座工廠投入運(yùn)營(yíng)。
英特爾
英特爾作為最早做儲(chǔ)存器的企業(yè)之一，已經(jīng)連續(xù)多年是是全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額的首位， 如今時(shí)隔34年后它宣布要重返存儲(chǔ)器市場(chǎng)。發(fā)布新一代存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)戰(zhàn)略，將炮火瞄準(zhǔn)存儲(chǔ)器半導(dǎo)體大廠三星電子和SK海力士。
上個(gè)月，英特爾介紹了其在3D NAND閃存上的最新動(dòng)態(tài)。英特爾透露，2019年第四季度將會(huì)推出96層的3DNAND閃存產(chǎn)品，并且還率先在業(yè)內(nèi)展示了用于數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤(pán)的144層QLC（四級(jí)單元）NAND，預(yù)計(jì)將于2020年推出。
英特爾采用3D Xpoint、是與美光聯(lián)合發(fā)布的新型閃存技術(shù)，號(hào)稱(chēng)是25年來(lái)存儲(chǔ)技術(shù)的革命性突破，速度是目前NAND閃存的1000倍，耐用性也是目前閃存的1000倍，密度是NAND的10倍。不過(guò)英特爾能否如愿以償，決定于3D Xpoint產(chǎn)品能否取得眾多服務(wù)器客戶的青睞，目前尚為時(shí)過(guò)早。
國(guó)產(chǎn)追趕仍需時(shí)日
在NAND Flash市場(chǎng)中，三星、東芝、鎂光、SK海力士、西部數(shù)據(jù)、英特爾這六家企業(yè)長(zhǎng)期壟斷著全球99％以上的份額。國(guó)產(chǎn)儲(chǔ)存在全球市場(chǎng)中目前還影響力不足，東芝高管上個(gè)月曾表示：“中國(guó)內(nèi)存廠商在二三年內(nèi)趕上不容易，他認(rèn)為市場(chǎng)供應(yīng)過(guò)剩的局面已經(jīng)終結(jié)，此前的供應(yīng)過(guò)剩已將利潤(rùn)率擠壓至10年來(lái)的最低水平?！?/p>
作為后來(lái)者的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，其實(shí)早在2018年，就已經(jīng)量產(chǎn)了32層3D NAND閃存芯片。然而在2018年，各家的64層、72層3D NAND閃存已經(jīng)是主打產(chǎn)品，早已全面鋪貨，落后一代的差距使得當(dāng)時(shí)長(zhǎng)江存儲(chǔ)并沒(méi)有引起業(yè)界關(guān)注。9月初，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256GB TLC 3D NAND閃存 ，而這也是中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)64層3D NADA閃存芯片的量產(chǎn)，中國(guó)距離國(guó)際水平又近了一步。