第三代半導(dǎo)體為近年新興的技術(shù)，主要聚焦于碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體新材料領(lǐng)域的突破性技術(shù)發(fā)展以及新材料器件研發(fā)。

20世紀(jì)初出現(xiàn)第三代半導(dǎo)體相關(guān)專利申請，大約在2000年以后，相關(guān)專利申請開始進入快速增長階段。美國早期領(lǐng)銜全球?qū)＠鲩L，2010年前后我國的申請量首次超過美國。美國、日本、中國、韓國、德國等國家或地區(qū)相關(guān)專利申請量增長較快。

截至2018年9月30日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)專利總量約為8．751萬件。碳化硅、氮化鎵、其他金屬氧化物三種主要材料申請數(shù)量較為接近；其中碳化硅材料功率半導(dǎo)體和器件工藝較為熱門，氮化鎵材料外延生長和光電子比重較大。

從襯底技術(shù)、結(jié)構(gòu)、設(shè)備等方面分涉氮化鎵器件制備的技術(shù)演進如下圖。

氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕以及抗輻射等優(yōu)點，又與現(xiàn)有硅半導(dǎo)體工藝兼容性強，在降低成本方面顯示更大的潛力。