據(jù)媒體報道，華為今年4月剛成立的哈勃投資已于近期入股山東天岳，并獲得了10％的股份。山東天岳核心產品為第三代半導體材料碳化硅。據(jù)公司官網介紹，碳化硅被稱為是第三代半導體的核心材料，具有耐高壓、耐高頻等突出特點。

華為通過哈勃投資入股山東天岳，或許表明其對于第三代半導體材料前景的認可。資料顯示，哈勃科技投資有限公司注冊資本為7億元人民幣，由華為投資控股有限公司100％控股。

哈勃投資，名字頗具深意。哈勃望遠鏡自1990年搭乘美國“發(fā)現(xiàn)者號”航天飛機進入太空，開啟了自己的傳奇一生。如果要探索太空，是離不開哈勃的。設立哈勃投資，或表明了華為意圖通過產業(yè)投資，對科技前沿領域進行探索的初衷。

歷數(shù)三代半導體材料

自半導體誕生以來，半導體材料便不斷升級。第一代半導體材料主要是指硅（Si）、鍺元素（Ge）半導體材料，其在集成電路、電腦、手機、航空航天、各類軍事工程等領域中都得到了極為廣泛的應用。

第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料，如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）；三元化合物半導體，如GaAsAl、GaAsP；還有一些固溶體半導體，如Ge－Si、GaAs－GaP；玻璃半導體（又稱非晶態(tài)半導體），如非晶硅、玻璃態(tài)氧化物半導體；有機半導體，如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。

第二代半導體材料主要用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材料。因信息高速公路和互聯(lián)網的興起，還被廣泛應用于衛(wèi)星通訊、移動通訊、光通信和GPS導航等領域。

第三代半導體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導體材料。與第一代和第二代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和度以及更高的抗輻射能力。

在應用方面，根據(jù)第三代半導體的發(fā)展情況，其主要應用為半導體照明、電力電子器件、激光器和探測器、以及其他4個領域，每個領域產業(yè)成熟度各不相同。在前沿研究領域，寬禁帶半導體還處于實驗室研發(fā)階段。

各國高度重視第三代半導體發(fā)展

目前，許多國家將第三代半導體材料列入國家計劃。美國、歐盟均建立了相應的中心及聯(lián)盟， 致力于研發(fā)第三代功率半導體功率器件。

我國政府主管部門高度重視第三代半導體材料及相關技術的研究與開發(fā)。從2004年開始對第三代半導體技術領域的研究進行了部署，啟動了一系列重大研究項目。2013年科技部在“863”計劃新材料技術領域項目征集指南中，明確將第三代半導體材料及其應用列為重要內容。2015年和2016年國家科技重大專項02專項也對第三代半導體功率器件的研制和應用進行立項。

碳化硅電力電子器件市場在2016年正式形成，根據(jù)Yole預測，碳化硅市場規(guī)模在2021年將上漲到5．5億美元，年復合增長率可達到19％。由于我國具有廣闊的應用市場，屆時國產功率半導體市場也將實現(xiàn)大規(guī)模的增長。

哪些上市公司率先布局了碳化硅？

三安光電主要從事化合物半導體材料的研發(fā)與應用，專注于碳化硅、砷化鎵、氮化鎵等半導體新材料及相關領域。今年3月，三安光電旗下三安集成電路與美的集團達成戰(zhàn)略合作，雙方共同成立第三代半導體聯(lián)合實驗室，將通過研發(fā)第三代半導體功率器件導入白色家電，推動產業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。

海特高新目前已完成包括砷化鎵、氮化鎵、碳化硅及磷化銦在內的6項工藝產品的開發(fā)，可支持制造功率放大器、混頻器、低噪音放大器、開關、光電探測器、激光 器、電力電子等產品，產品廣泛應用于5G移動通信、人工智能、雷達、汽車電子等領域。截止目前公司部分產品已實現(xiàn)量產，服務客戶數(shù)和訂單持續(xù)增加。

楚江新材在超高溫熱工裝備領域具備領先優(yōu)勢，是國內唯一具有碳及碳化硅復合材料熱工裝備、高端真空熱處理系列裝備、粉末冶金系列熱工裝備三大系列且均保持領先的高端熱工裝備企業(yè)。