晶圓代工產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷今年第一季度大幅衰退后，隨著半導(dǎo)體供應(yīng)鏈庫(kù)存告一段落、行業(yè)進(jìn)入傳統(tǒng)旺季，第二季度迎來(lái)回暖。中芯國(guó)際第二季度營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)18.2%，也體現(xiàn)了行業(yè)的周期性變化。中芯國(guó)際指出，伴隨產(chǎn)業(yè)回暖與公司內(nèi)部改革，公司逐步走出調(diào)整期，成熟工藝平臺(tái)顯著增長(zhǎng)，先進(jìn)技術(shù)發(fā)展持續(xù)突破。
二季度業(yè)績(jī)受智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)及相關(guān)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。從應(yīng)用類型來(lái)看，來(lái)自通訊領(lǐng)域收入占比達(dá)到48.9%，同比增加8.5個(gè)百分點(diǎn)，環(huán)比增加5.9個(gè)百分點(diǎn)；從地區(qū)分類來(lái)看，來(lái)自美國(guó)的收入占比下滑至27.5%，中國(guó)及歐亞地區(qū)收入占比提升，中國(guó)區(qū)收入占比達(dá)到56.9%，歐亞區(qū)收入占比達(dá)到15.8%；從各技術(shù)制程來(lái)看，28nm技術(shù)收入占比達(dá)到3.8%，40/45nm技術(shù)收入占比達(dá)到19.2%，55/65nm技術(shù)收入占比達(dá)到26.2%。
中國(guó)作為芯片行業(yè)的后來(lái)者，一直在努力追趕行業(yè)最先進(jìn)的制程工藝。如今14納米工藝終于迎來(lái)量產(chǎn)，使得中國(guó)大陸的集成電路制造技術(shù)水平與行業(yè)龍頭臺(tái)積電的距離又拉近了一步，也進(jìn)一步奠定了中芯國(guó)際在大陸晶圓代工領(lǐng)域的龍頭地位。
從制造技術(shù)來(lái)看，制造技術(shù)方面，臺(tái)積電2018年已經(jīng)量產(chǎn)7nm工藝，2020年則會(huì)轉(zhuǎn)向5nm節(jié)點(diǎn)。三星7nm EUV工藝預(yù)計(jì)2020年1月份量產(chǎn)，5nm 預(yù)計(jì)2021年量產(chǎn)。英特爾的10nm(對(duì)標(biāo)臺(tái)積電的7nm)一再延遲，而聯(lián)電與格芯相繼宣布暫時(shí)擱置7nm制程研發(fā)，目前最先進(jìn)工藝均為14nm。
至此，作為代表著大陸技術(shù)最先進(jìn)、配套最完善、規(guī)模最大、跨國(guó)經(jīng)營(yíng)的晶圓代工企業(yè)，在努力提升集成電路自給率、加快國(guó)產(chǎn)替代的大背景下，中芯國(guó)際邁入了新的歷史階段。
大陸代工企業(yè)方面，中芯目前已可量產(chǎn)14nm，華力微電子的目標(biāo)是在2020年量產(chǎn)，中芯國(guó)際顯然代表了大陸集成電路制造技術(shù)的最高水平。雖然目前業(yè)界已經(jīng)技術(shù)成熟并量產(chǎn)的7nm工藝相比，仍然有兩代（兩～三年）左右的差距。但實(shí)際上中芯國(guó)際14nm工藝量產(chǎn)的速度，已經(jīng)比預(yù)設(shè)的進(jìn)度提前了幾個(gè)季度。2015年中芯國(guó)際與華為、高通、比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）合作開(kāi)發(fā)14nm工藝時(shí)，目標(biāo)是于2020年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，提前實(shí)現(xiàn)了”十三五計(jì)劃“中“加快16/14納米工藝產(chǎn)業(yè)化和存儲(chǔ)器生產(chǎn)線建設(shè)，提升封裝測(cè)試業(yè)技術(shù)水平和產(chǎn)業(yè)集中度，加緊布局后摩爾定律時(shí)代芯片相關(guān)領(lǐng)域”的目標(biāo)。
從營(yíng)收市占率來(lái)看，今年第二季度全球TOP10晶圓代工營(yíng)收市占率排名中中芯國(guó)際名列第五位，市占率為5.1%，也是大陸代工企業(yè)市占率榜首。2018年，中芯國(guó)際在90nm以下制程的營(yíng)收占比為49.9%，而同期華虹半導(dǎo)體的一半收入則來(lái)自于0.35um以上制程的產(chǎn)品。
梁孟松加盟以后，中芯國(guó)際在制程工藝上的研發(fā)進(jìn)度的確是突飛猛進(jìn)。集微網(wǎng)記者從中芯國(guó)際財(cái)報(bào)會(huì)上獲悉，14nm進(jìn)入客戶風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)，預(yù)期在今年底貢獻(xiàn)有意義的營(yíng)收，年底將有小批量出貨，大規(guī)模出貨預(yù)計(jì)會(huì)在2021年，此外第二代FinFET N+1技術(shù)平臺(tái)已開(kāi)始進(jìn)入客戶導(dǎo)入。此前集微網(wǎng)曾報(bào)道，中芯國(guó)際在去年花費(fèi)了1.2億美元，購(gòu)買了一臺(tái)ASML最先進(jìn)的極EUV光刻機(jī)，意味著中芯國(guó)際第二代FinFET N+1有可能將向更高制程工藝發(fā)起沖擊。
在中國(guó)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)的今天，在5G的推進(jìn)過(guò)程中，自動(dòng)駕駛、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等新興行業(yè)將帶來(lái)新的需求增量。在市場(chǎng)需求，政策鼓勵(lì)，國(guó)產(chǎn)化替代以及相對(duì)廉價(jià)勞動(dòng)力的支撐下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正向大陸轉(zhuǎn)移。然而根據(jù)集邦咨詢的市場(chǎng)研究數(shù)據(jù)，2016~2022年中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)代工需求本土滿足比一直低于40%。到2022年，90nm以上制程制造能力缺口為20萬(wàn)片（合12英寸，下同），成熟制程（28nm-90nm，含90nm不含28nm）制造能力缺口為15萬(wàn)片，先進(jìn)制程（28nm及以下）缺口為30萬(wàn)片。
在中國(guó)努力提升集成電路自給率、加快國(guó)產(chǎn)替代的大背景下，中芯國(guó)際在先進(jìn)制程上取得的每一步突破，都尤為關(guān)鍵。14nm上線取得階段性成果，也標(biāo)志著中芯國(guó)際的發(fā)展進(jìn)入了下一個(gè)歷史使命階段。